Stratul de oxid termic al unei plachete de siliciu este un strat de oxid sau un strat de silice format pe suprafața goală a unei plachete de siliciu în condiții de temperatură ridicată cu un agent de oxidare.Stratul de oxid termic al plachetei de siliciu este de obicei crescut într-un cuptor cu tub orizontal, iar intervalul de temperatură de creștere este în general de 900 ° C ~ 1200 ° C și există două moduri de creștere de „oxidare umedă” și „oxidare uscată”.Stratul de oxid termic este un strat de oxid „crescut” care are o omogenitate mai mare și o rezistență dielectrică mai mare decât stratul de oxid depus CVD.Stratul de oxid termic este un strat dielectric excelent ca izolator.În multe dispozitive pe bază de siliciu, stratul de oxid termic joacă un rol important ca strat de blocare a dopajului și dielectric de suprafață.
Sfaturi: tip de oxidare
1. Oxidare uscată
Siliciul reacţionează cu oxigenul, iar stratul de oxid se deplasează spre stratul bazal.Oxidarea uscată trebuie efectuată la o temperatură de 850 până la 1200 ° C, iar rata de creștere este scăzută, ceea ce poate fi utilizat pentru creșterea porții de izolație MOS.Când este necesar un strat de oxid de siliciu ultra-subțire de înaltă calitate, oxidarea uscată este preferată față de oxidarea umedă.
Capacitate de oxidare uscată: 15nm~300nm(150A ~ 3000A)
2. Oxidare umedă
Această metodă folosește un amestec de hidrogen și oxigen de înaltă puritate pentru a arde la ~1000 ° C, producând astfel vapori de apă pentru a forma un strat de oxid.Deși oxidarea umedă nu poate produce un strat de oxidare de înaltă calitate ca oxidarea uscată, dar suficient pentru a fi folosit ca zonă de izolare, în comparație cu oxidarea uscată are un avantaj clar că are o rată de creștere mai mare.
Capacitate de oxidare umedă: 50nm~ 15µm (500A ~15µm)
3. Metoda uscata - metoda umeda - metoda uscata
În această metodă, oxigenul pur uscat este eliberat în cuptorul de oxidare în etapa inițială, hidrogenul este adăugat la mijlocul oxidării și hidrogenul este stocat la sfârșit pentru a continua oxidarea cu oxigen pur uscat pentru a forma o structură de oxidare mai densă decât procesul comun de oxidare umedă sub formă de abur de apă.
4. oxidarea TEOS
| Tehnica de oxidare | Oxidare umedă sau oxidare uscată |
| Diametru | 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ |
| Grosimea oxidului | 100 Å ~ 15 µm |
| Toleranţă | +/- 5% |
| Suprafaţă | Oxidare cu o singură față (SSO) / Oxidare cu două părți (DSO) |
| Cuptor | Cuptor cu tuburi orizontale |
| Gaz | Hidrogen și oxigen gazos |
| Temperatura | 900 ℃ ~ 1200 ℃ |
| Indicele de refracție | 1.456 |
