Acasă
Despre noi
- Profilul Companiei
- Certificare și onoare
Produse
Contactaţi-ne
Caracteristică
Întrebări frecvente
Știri
- Știri de companie
- Știri din industrie

Acasă
Alții
Si Wafer & SiC Wafer

Categorii

CVD SiC
CVD TaC
Ceramica SiC
Cuarț semiconductor
Produse din grafit semiconductor
Si Wafer & SiC Wafer
Alții

Produse recomandate

Inel acoperit cu carbură de tantal
Efector ceramic SiC de înaltă precizie
Paleta cantilever din carbură de siliciu
Durată lungă de viață Suport de grafit acoperit cu SiC pentru...
Instrument de grafit acoperit cu carbură de siliciu, pentru epitaxie...
Tavă MOCVD acoperită cu SiC de înaltă puritate antioxidare
Structura butoiului pentru susceptor de butoi
Piese semiconductoare a doua jumătate pentru epitaxiale

Si Wafer & SiC Wafer

GaAs Wafers|GaAs Epi Wafers|Substraturi de arseniură de galiu
Substraturi cu nitrură de galiu|Napolitane GaN
Vafer de oxid termic de siliciu
Napolitane de silicon FZ
SOI Napolitane
Substraturi din carbură de siliciu|Napolitane SiC
Epitaxie SiC
Substrat SiC de 4 inchi de tip N
Substrat SiC de tip N de 6 inchi

informație

Profilul Companiei
Contactaţi-ne
Certificare și onoare
Produse

buletin informativ

Pentru întrebări despre produsele noastre sau lista de prețuri, vă rugăm să ne lăsați e-mailul și vă vom contacta în 24 de ore.

Întrebare pentru lista de prețuri

contactul nostru

86-13373889683
Nr. 777, Zhongguan West Road, districtul Zhenhai, Ningbo, Zhejiang, 315201, China
sales01@semi-cera.com

© Copyright - 2018-2027 : Toate drepturile rezervate. Harta site-ului
Pâslă moale, Pâslă din grafit din China și pâslă rigidă, Braț robotizat din ceramică și ceramică din China, Ceramica cu carbură de siliciu, Acoperire TaC, CVD SiC,