Descriere
Compania noastra ofera servicii de proces de acoperire SiC prin metoda CVD pe suprafata grafitului, ceramicii si a altor materiale, astfel incat gazele speciale care contin carbon si siliciu sa reactioneze la temperatura ridicata pentru a obtine molecule de SiC de inalta puritate, molecule depuse pe suprafata materialelor acoperite, formând stratul protector SIC.
Caracteristici principale
1. Grafit acoperit cu SiC de înaltă puritate
2. Rezistență superioară la căldură și uniformitate termică
3. Acoperit cu cristal fin de SiC pentru o suprafață netedă
4. Durabilitate ridicată împotriva curățării chimice
Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC
Proprietăți SiC-CVD | ||
Structură cristalină | faza β FCC | |
Densitate | g/cm³ | 3.21 |
Duritate | Duritatea Vickers | 2500 |
Marimea unui bob | μm | 2~10 |
Puritatea chimică | % | 99,99995 |
Capacitate termică | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
Temperatura de sublimare | ℃ | 2700 |
Forța felexurală | MPa (RT 4 puncte) | 415 |
Modulul Young | Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃) | 430 |
Expansiune termică (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Conductivitate termică | (W/mK) | 300 |