Descriere produs
4h-n 4inch 6inch dia100mm sic napolitană cu semințe grosime 1mm pentru creșterea lingoului
Dimensiune personalizată/2 inch/3 inch/4 inch/6 inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N Lingouri SIC/Puritate înaltă 4H-N 4inch 6inch dia 150 mm substraturi cu carbură de siliciu monocristal (sic) napolitaneS/ Napolitană sic4 personalizată ca tăiat Napolitane SIC de grad 4H-N 1,5 mm pentru cristale semințe
Despre carbură de siliciu (SiC)Crystal
Carbura de siliciu (SiC), cunoscută și sub numele de carborundum, este un semiconductor care conține siliciu și carbon cu formula chimică SiC.SiC este utilizat în dispozitivele electronice semiconductoare care funcționează la temperaturi ridicate sau tensiuni înalte sau ambele. SiC este, de asemenea, una dintre componentele LED importante, este un substrat popular pentru creșterea dispozitivelor GaN și servește, de asemenea, ca distribuitor de căldură în LED-uri de putere.
Descriere
| Proprietate | 4H-SiC, un singur cristal | 6H-SiC, un singur cristal |
| Parametrii rețelei | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Secvență de stivuire | ABCB | ABCACB |
| Duritatea Mohs | ≈9,2 | ≈9,2 |
| Densitate | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm.Coeficientul de expansiune | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indicele de refracție @750nm | nu = 2,61 | nu = 2,60 |
| Constantă dielectrică | c~9,66 | c~9,66 |
| Conductivitate termică (tip N, 0,02 ohm.cm) | a~4,2 W/cm·K@298K |
|
| Conductivitate termică (semiizolantă) | a~4,9 W/cm·K@298K | a~4,6 W/cm·K@298K |
| Band-gap | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Câmp electric defalcat | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Viteza de deplasare a saturației | 2,0×105 m/s | 2,0×105 m/s |
