Epitaxie SiC

Scurtă descriere:

Semicera oferă epitaxie SiC cu film subțire personalizat (carbură de siliciu) pe substraturi pentru dezvoltarea dispozitivelor cu carbură de siliciu. Weitai se angajează să ofere produse de calitate și prețuri competitive și așteptăm cu nerăbdare să fim partenerul dumneavoastră pe termen lung în China.

 

Detaliu produs

Etichete de produs

Epitaxie SiC (2)(1)

Descriere produs

4h-n 4inch 6inch dia100mm sic napolitană cu semințe grosime 1mm pentru creșterea lingoului

Dimensiune personalizată/2 inch/3 inch/4 inch/6 inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N Lingouri SIC/Puritate înaltă 4H-N 4inch 6inch dia 150mm substraturi cu carbură de siliciu monocristal (sic) napolitaneS/ Napolitană sic4 personalizată ca tăiat Napolitane SIC de grad 4H-N 1,5 mm pentru cristale semințe

Despre carbură de siliciu (SiC)Crystal

Carbura de siliciu (SiC), cunoscută și sub numele de carborundum, este un semiconductor care conține siliciu și carbon cu formula chimică SiC. SiC este utilizat în dispozitivele electronice semiconductoare care funcționează la temperaturi ridicate sau tensiuni înalte sau ambele. SiC este, de asemenea, una dintre componentele LED importante, este un substrat popular pentru creșterea dispozitivelor GaN și servește și ca distribuitor de căldură în LED-uri de putere.

Descriere

Proprietate

4H-SiC, un singur cristal

6H-SiC, un singur cristal

Parametrii rețelei

a=3,076 Å c=10,053 Å

a=3,073 Å c=15,117 Å

Secvență de stivuire

ABCB

ABCACB

Duritatea Mohs

≈9,2

≈9,2

Densitate

3,21 g/cm3

3,21 g/cm3

Therm. Coeficientul de expansiune

4-5×10-6/K

4-5×10-6/K

Indicele de refracție @750nm

nu = 2,61
ne = 2,66

nu = 2,60
ne = 2,65

Constanta dielectrica

c~9,66

c~9,66

Conductivitate termică (tip N, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K

 

Conductivitate termică (semiizolantă)

a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K

Band-gap

3,23 eV

3,02 eV

Câmp electric defalcat

3-5×106V/cm

3-5×106V/cm

Viteza de deplasare a saturației

2,0×105 m/s

2,0×105 m/s

Napolitane SiC

Semicera Locul de munca Locul de muncă semicer 2 Mașină de echipare Procesare CNN, curățare chimică, acoperire CVD Serviciul nostru


  • Anterior:
  • Următorul: