Descriere
Susceptorii de napolitană SiC de la Semicera pentru MOCVD (depunere în vapori chimici metalo-organici) sunt proiectați pentru a satisface cerințele exigente ale proceselor de depunere epitaxiale. Folosind carbură de siliciu (SiC) de înaltă calitate, acești susceptori oferă durabilitate și performanță de neegalat în medii cu temperaturi ridicate și corozive, asigurând creșterea precisă și eficientă a materialelor semiconductoare.
Caracteristici cheie:
1. Proprietăți superioare ale materialelorConstruit din SiC de înaltă calitate, susceptorii noștri napolitane prezintă o conductivitate termică și o rezistență chimică excepționale. Aceste proprietăți le permit să reziste la condițiile extreme ale proceselor MOCVD, inclusiv la temperaturi ridicate și gaze corozive, asigurând longevitate și performanță fiabilă.
2. Precizie în depunerea epitaxialeIngineria precisă a susceptorilor noștri SiC Wafer asigură distribuția uniformă a temperaturii pe suprafața plachetei, facilitând creșterea constantă și de înaltă calitate a stratului epitaxial. Această precizie este critică pentru producerea semiconductorilor cu proprietăți electrice optime.
3. Durabilitate sporităMaterialul robust SiC oferă o rezistență excelentă la uzură și degradare, chiar și în condiții de expunere continuă la medii dure de proces. Această durabilitate reduce frecvența înlocuirii susceptorilor, minimizând timpul de nefuncționare și costurile operaționale.
Aplicații:
Susceptorii SiC Wafer de la Semicera pentru MOCVD sunt ideali pentru:
• Creșterea epitaxială a materialelor semiconductoare
• Procese MOCVD la temperatură ridicată
• Producția de GaN, AlN și alți semiconductori compuși
• Aplicații avansate de fabricare a semiconductorilor
Specificații principale ale acoperirilor CVD-SIC:

Beneficii:
•Precizie ridicată: Asigură o creștere epitaxială uniformă și de înaltă calitate.
•Performanță de lungă durată: Durabilitatea excepțională reduce frecvența de înlocuire.
• Eficiența costurilor: Minimizează costurile operaționale prin reducerea timpilor de nefuncționare și întreținere.
•Versatilitate: Personalizat pentru a se potrivi cu diverse cerințe de proces MOCVD.






-
Echipament MOCVD cu bază de grafit de 41 de piese...
-
Suporturi pentru napolitane de grafit acoperite cu carbură de siliciu
-
Purtător de napolitane de epitaxie SiC
-
Maximizați randamentul și performanța cu semicerare...
-
Element de încălzire acoperit cu carbură de siliciu de înaltă calitate...
-
Instrument de grafit acoperit cu carbură de siliciu pentru epitaxie