Descriere
Compania noastră oferăAcoperire SiCservicii de procesare prin metoda CVD pe suprafata grafitului, ceramicii si a altor materiale, astfel incat gazele speciale care contin carbon si siliciu sa reactioneze la temperatura ridicata pentru a obtine molecule de SiC de inalta puritate, molecule depuse pe suprafata materialelor acoperite, formandStrat de protecție SIC.
Caracteristici principale
1. Rezistență la oxidare la temperaturi ridicate:
rezistența la oxidare este încă foarte bună atunci când temperatura este de până la 1600 C.
2. Puritate ridicată: realizat prin depunere chimică de vapori în condiții de clorinare la temperatură ridicată.
3. Rezistență la eroziune: duritate mare, suprafață compactă, particule fine.
4. Rezistență la coroziune: acid, alcali, sare și reactivi organici.
Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC
| Proprietăți SiC-CVD | ||
| Structură cristalină | faza β FCC | |
| Densitate | g/cm³ | 3.21 |
| Duritate | Duritatea Vickers | 2500 |
| Marimea unui bob | μm | 2~10 |
| Puritatea chimică | % | 99,99995 |
| Capacitate termică | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimare | ℃ | 2700 |
| Forța felexurală | MPa (RT 4 puncte) | 415 |
| Modulul Young | Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃) | 430 |
| Expansiune termică (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivitate termică | (W/mK) | 300 |
Profilul Companiei
Semicera Energy este unul dintre producătorii și furnizorii de paleți epitaxiali acoperiți cu carbură de siliciu din China.Produsele noastre principale includ: plăci de gravare cu carbură de siliciu, remorci pentru bărci cu carbură de siliciu,barci cu napolitană cu carbură de siliciu(PV și semiconductor), tuburi pentru cuptor cu carbură de siliciu,palete cantilever din carbură de siliciu, mandrine din carbură de siliciu, grinzi din carbură de siliciu, precum și acoperiri CVD SiC șiAcoperiri TaC.
Produsele sunt utilizate în principal în industriile semiconductoare și fotovoltaice, cum ar fi echipamentele pentru creșterea cristalelor, epitaxie, gravare, ambalare, acoperire și difuzie.Cumpărați paleți de tablă epitaxiale acoperiți cu SIC la prețuri mici din fabrica noastră.Avem propriul nostru brand și acceptăm, de asemenea, vrac.Dacă sunteți interesat de produsele noastre, vă vom oferi un preț ieftin.Bine ați venit la ultimele noastre produse cu reducere de înaltă calitate.
Compania noastră dispune de echipamente complete de producție, cum ar fi echipamente de turnare, sinterizare, prelucrare, acoperire etc., care pot completa toate verigile necesare producției de produs și au o controlabilitate mai mare a calității produsului;Planul optim de producție poate fi selectat în funcție de nevoile produsului, rezultând costuri mai mici și oferind clienților produse mai competitive;Putem programa în mod flexibil și eficient producția pe baza cerințelor de livrare a comenzilor și în combinație cu sistemele de gestionare a comenzilor online, oferind clienților un timp de livrare mai rapid și mai garantat.
Echipamente
-
Carbură de tantal poroasă, material de câmp fierbinte pentru...
-
Carbid de tantal de înaltă calitate și rentabil...
-
Furnizați laser cu tehnologie avansată cu microjet LMJ...
-
Tavă MOCVD acoperită cu SiC de înaltă puritate antioxidare
-
Depunerea epitaxială CVD în sistemul reactor de epitaxie
-
Barcă cu napolitană din carbură de siliciu cu semiconductor