Descriere
Compania noastra ofera servicii de proces de acoperire SiC prin metoda CVD pe suprafata grafitului, ceramicii si a altor materiale, astfel incat gazele speciale care contin carbon si siliciu sa reactioneze la temperatura ridicata pentru a obtine molecule de SiC de inalta puritate, molecule depuse pe suprafata materialelor acoperite, formând stratul protector SIC.
Caracteristici principale
1. Rezistența la oxidare la temperatură ridicată: rezistența la oxidare este încă foarte bună atunci când temperatura este de până la 1600 C.
2. Puritate ridicată: realizat prin depunere chimică de vapori în condiții de clorinare la temperatură ridicată.
3. Rezistență la eroziune: duritate mare, suprafață compactă, particule fine.
4. Rezistență la coroziune: acid, alcali, sare și reactivi organici.
Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC
| Proprietăți SiC-CVD | ||
| Structură cristalină | faza β FCC | |
| Densitate | g/cm³ | 3.21 |
| Duritate | Duritatea Vickers | 2500 |
| Marimea unui bob | μm | 2~10 |
| Puritatea chimică | % | 99,99995 |
| Capacitate termică | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperatura de sublimare | ℃ | 2700 |
| Forța felexurală | MPa (RT 4 puncte) | 415 |
| Modulul Young | Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃) | 430 |
| Expansiune termică (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conductivitate termică | (W/mK) | 300 |
-
Zona fierbinte de încălzire din grafit/câmp fierbinte din grafit, ca...
-
Tavi de pin SiC pentru procesele de gravare ICP în...
-
Jumătăți piese pentru echipamente epitaxiale SiC
-
Reactor acoperit cu carbură Reactor baril
-
Butoi de grafit acoperit cu SiC pentru creștere epitaxială
-
Reactor epitaxial cu semiconductor acoperit cu SiC pentru...