Proces de acoperire cu SiC pentru suporturi de grafit acoperite cu SiC pe bază de grafit

Menținem toleranțe foarte strânse la aplicareaAcoperire SiC, folosind prelucrare de înaltă precizie pentru a asigura un profil susceptor uniform.De asemenea, producem materiale cu proprietăți de rezistență electrică ideale pentru utilizarea în sisteme încălzite inductiv.Toate componentele finite vin cu un certificat de puritate și conformitate dimensională.

Compania noastră oferăAcoperire SiCservicii de procesare prin metoda CVD pe suprafata grafitului, ceramicii si a altor materiale, astfel incat gazele speciale care contin carbon si siliciu sa reactioneze la temperatura ridicata pentru a obtine molecule de SiC de inalta puritate, molecule depuse pe suprafata materialelor acoperite, formand stratul protector SIC.SIC format este ferm lipit de baza de grafit, dând proprietăți speciale bazei de grafit, făcând astfel suprafața grafitului compactă, fără porozitate, rezistență la temperaturi ridicate, rezistență la coroziune și rezistență la oxidare.

Procesul CVD oferă o puritate extrem de ridicată și o densitate teoretică aAcoperire SiCfără porozitate.În plus, deoarece carbura de siliciu este foarte dura, poate fi lustruită până la o suprafață asemănătoare oglinzii.Acoperire cu carbură de siliciu CVD (SiC).a oferit mai multe avantaje, inclusiv suprafața de puritate ultra-înaltă și durabilitatea extremă la uzură.Deoarece produsele acoperite au o performanță excelentă în condiții de vid ridicat și temperatură ridicată, ele sunt ideale pentru aplicații în industria semiconductoarelor și alte medii ultra-curate.De asemenea, oferim produse din grafit pirolitic (PG).