Purtător SiC pentru tratament termic cu încălzire rapidă RTP/RTA

Scurtă descriere:

Carbura de siliciu este un nou tip de ceramică cu performanță ridicată la cost și proprietăți excelente ale materialului. Datorită caracteristicilor precum rezistența și duritatea ridicată, rezistența la temperaturi ridicate, conductivitate termică mare și rezistență la coroziune chimică, Carbura de Siliciu poate rezista aproape tuturor mediului chimic. Prin urmare, SiC este utilizat pe scară largă în minerit de petrol, chimie, mașini și spațiu aerian, chiar și energia nucleară și armata au cerințe speciale cu privire la SIC. Unele aplicații normale pe care le putem oferi sunt inelele de etanșare pentru pompă, supapă și armătură de protecție etc.

Suntem capabili să proiectăm și să fabricăm conform dimensiunilor dumneavoastră specifice, cu o calitate bună și un timp de livrare rezonabil.


Detaliu produs

Etichete de produs

Descriere

Compania noastra ofera servicii de proces de acoperire cu SiC prin metoda CVD pe suprafata grafitului, ceramicii si a altor materiale, astfel incat gazele speciale care contin carbon si siliciu sa reactioneze la temperatura ridicata pentru a obtine molecule de SiC de inalta puritate, molecule depuse pe suprafata materialelor acoperite, formând stratul protector SIC.

Caracteristici principale

1. Rezistență la oxidare la temperaturi ridicate:
rezistența la oxidare este încă foarte bună atunci când temperatura este de până la 1600 C.
2. Puritate ridicată: realizat prin depunere chimică de vapori în condiții de clorinare la temperatură ridicată.
3. Rezistență la eroziune: duritate mare, suprafață compactă, particule fine.
4. Rezistență la coroziune: acid, alcali, sare și reactivi organici.

Specificații principale ale acoperirii CVD-SIC

Proprietăți SiC-CVD

Structura de cristal faza β FCC
Densitate g/cm³ 3.21
Duritate Duritatea Vickers 2500
Dimensiunea boabelor μm 2~10
Puritatea chimică % 99,99995
Capacitate termică J·kg-1 ·K-1 640
Temperatura de sublimare 2700
Forța felexurală MPa (RT 4 puncte) 415
Modulul Young Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃) 430
Expansiune termică (CTE) 10-6K-1 4.5
Conductivitate termică (W/mK) 300
Semicera Locul de munca
Locul de muncă semicer 2
Mașină de echipare
Procesare CNN, curățare chimică, acoperire CVD
Serviciul nostru

  • Anterior:
  • Următorul: