Depunere epitaxială de acoperire CVD SiC în sistemul reactor de epitaxie

Depunere epitaxială de acoperire CVD SiC în sistemul de reactor de epitaxie Imagine prezentată

Scurtă descriere:

Semicera oferă o gamă completă de susceptori și componente din grafit concepute pentru diferite reactoare de epitaxie.

Prin parteneriate strategice cu producători OEM lideri în industrie, expertiză extinsă în materie de materiale și capabilități avansate de producție, Semicera oferă modele personalizate pentru a satisface cerințele specifice ale aplicației dumneavoastră. Angajamentul nostru față de excelență vă asigură că primiți soluții optime pentru nevoile dvs. de reactor de epitaxie.

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliu produs

Etichete de produs

Compania noastră oferăAcoperire SiCservicii de procesare pe suprafața grafitului, a ceramicii și a altor materiale prin metoda CVD, astfel încât gazele speciale care conțin carbon și siliciu pot reacționa la temperatură ridicată pentru a obține molecule de Sic de înaltă puritate, care pot fi depuse pe suprafața materialelor acoperite pentru a forma unStrat protector SiCpentru tip butoi hipnotic.

Caracteristici principale:

1. Grafit acoperit cu SiC de înaltă puritate

2. Rezistență superioară la căldură și uniformitate termică

3. BineAcoperit cu cristal SiCpentru o suprafață netedă

4. Durabilitate ridicată împotriva curățării chimice

Depunere epitaxială CVD în reactor de butoi

Specificațiile principale aleAcoperire CVD-SIC

Proprietăți SiC-CVD
Structura de cristal	faza β FCC
Densitate	g/cm³	3.21
Duritate	Duritatea Vickers	2500
Dimensiunea boabelor	μm	2~10
Puritatea chimică	%	99,99995
Capacitate termică	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimare	℃	2700
Forța felexurală	MPa (RT 4 puncte)	415
Modulul Young	Gpa (îndoire 4 pt, 1300 ℃)	430
Expansiune termică (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivitate termică	(W/mK)	300