Producători de napolitane din China, furnizori, fabrică
Ce este waferul semiconductor?
O plachetă semiconductoare este o felie subțire, rotundă de material semiconductor, care servește drept bază pentru fabricarea circuitelor integrate (CI) și a altor dispozitive electronice. Placa oferă o suprafață plană și uniformă pe care sunt construite diverse componente electronice.
Procesul de fabricare a plachetelor implică mai multe etape, inclusiv creșterea unui singur cristal mare din materialul semiconductor dorit, tăierea cristalului în plachete subțiri folosind un ferăstrău cu diamant și apoi lustruirea și curățarea plachetelor pentru a îndepărta orice defecte de suprafață sau impurități. Napolitanele rezultate au o suprafață foarte plană și netedă, ceea ce este crucial pentru procesele de fabricație ulterioare.
Odată pregătite, plachetele sunt supuse unei serii de procese de fabricare a semiconductoarelor, cum ar fi fotolitografia, gravarea, depunerea și dopajul, pentru a crea modelele și straturile complicate necesare pentru a construi componente electronice. Aceste procese sunt repetate de mai multe ori pe o singură placă pentru a crea mai multe circuite integrate sau alte dispozitive.
După ce procesul de fabricație este complet, chipsurile individuale sunt separate prin tăierea cubulețelor de-a lungul liniilor predefinite. Cipurile separate sunt apoi împachetate pentru a le proteja și a asigura conexiuni electrice pentru integrarea în dispozitive electronice.
Materiale diferite pe napolitană
Placile semiconductoare sunt fabricate în principal din siliciu monocristal datorită abundenței sale, proprietăților electrice excelente și compatibilității cu procesele standard de fabricare a semiconductoarelor. Cu toate acestea, în funcție de aplicațiile și cerințele specifice, se pot utiliza și alte materiale pentru a face napolitane. Iată câteva exemple:
Carbura de siliciu (SiC) este un material semiconductor cu bandgap largă care oferă proprietăți fizice superioare în comparație cu materialele tradiționale. Ajută la reducerea dimensiunii și greutății dispozitivelor discrete, modulelor și chiar sistemelor întregi, îmbunătățind în același timp eficiența.
Caracteristici cheie ale SiC:
- - Bandgap largă:Bandgap-ul SiC este de aproximativ trei ori mai mare decât cel al siliciului, permițându-i să funcționeze la temperaturi mai ridicate, până la 400°C.
- - Câmp de defalcare critic ridicat:SiC poate rezista de până la zece ori câmpul electric al siliciului, ceea ce îl face ideal pentru dispozitive de înaltă tensiune.
- - Conductivitate termică ridicată:SiC disipează eficient căldura, ajutând dispozitivele să mențină temperaturile optime de funcționare și prelungindu-le durata de viață.
- -Viteza de deplasare a electronilor cu saturație ridicată:Cu o viteză dublă față de siliciu, SiC permite frecvențe de comutare mai mari, ajutând la miniaturizarea dispozitivului.
Aplicatii:
-
-Electronica de putere:Dispozitivele de putere SiC excelează în medii de înaltă tensiune, curent ridicat, temperatură ridicată și frecvență înaltă, îmbunătățind semnificativ eficiența conversiei energiei. Sunt utilizate pe scară largă în vehicule electrice, stații de încărcare, sisteme fotovoltaice, transport feroviar și rețele inteligente.
-
- Comunicatii cu microunde:Dispozitivele GaN RF bazate pe SiC sunt cruciale pentru infrastructura de comunicații fără fir, în special pentru stațiile de bază 5G. Aceste dispozitive combină conductivitatea termică excelentă a SiC cu ieșirea RF de înaltă frecvență și putere a GaN, făcându-le alegerea preferată pentru rețelele de telecomunicații de înaltă generație de înaltă generație.
Nitrură de galiu (GaN)este un material semiconductor cu bandgap mare de a treia generație, cu o bandgap mare, conductivitate termică ridicată, viteză mare de saturație a electronilor și caracteristici excelente ale câmpului de defalcare. Dispozitivele GaN au perspective largi de aplicare în domenii de înaltă frecvență, viteză mare și putere mare, cum ar fi iluminatul cu LED-uri care economisește energie, afișajele de proiecție cu laser, vehiculele electrice, rețelele inteligente și comunicațiile 5G.
Arseniura de galiu (GaAs)este un material semiconductor cunoscut pentru frecvența înaltă, mobilitatea ridicată a electronilor, puterea mare de ieșire, zgomotul redus și liniaritatea bună. Este utilizat pe scară largă în industriile optoelectronice și microelectronice. În optoelectronică, substraturile GaAs sunt folosite pentru a produce LED (diode emițătoare de lumină), LD (diode laser) și dispozitive fotovoltaice. În microelectronică, aceștia sunt folosiți în producția de MESFET (tranzistoare cu efect de câmp metal-semiconductor), HEMT (tranzistoare cu mobilitate mare a electronilor), HBT (tranzistoare bipolare cu heterojoncțiune), circuite integrate (circuite integrate), diode cu microunde și dispozitive cu efect Hall.
fosfură de indiu (InP)este unul dintre semiconductorii compuși III-V importanți, cunoscut pentru mobilitatea ridicată a electronilor, rezistența excelentă la radiații și banda interzisă largă. Este utilizat pe scară largă în industriile optoelectronice și microelectronice.
