Semicera SOI Wafer (Silicon On Insulator) este proiectat pentru a oferi izolație electrică și performanță termică superioare. Această structură inovatoare de plachetă, cu un strat de siliciu pe un strat izolator, asigură o performanță îmbunătățită a dispozitivului și un consum redus de energie, făcându-l ideal pentru o varietate de aplicații de înaltă tehnologie.
Napolitanele noastre SOI oferă beneficii excepționale pentru circuitele integrate prin minimizarea capacității parazitare și îmbunătățirea vitezei și eficienței dispozitivului. Acest lucru este crucial pentru electronica modernă, unde performanța ridicată și eficiența energetică sunt esențiale atât pentru aplicațiile de consum, cât și pentru cele industriale.
Semicera folosește tehnici avansate de producție pentru a produce napolitane SOI cu o calitate și fiabilitate constante. Aceste plachete oferă o izolare termică excelentă, făcându-le potrivite pentru utilizarea în medii în care disiparea căldurii este o problemă, cum ar fi dispozitivele electronice de înaltă densitate și sistemele de gestionare a energiei.
Utilizarea plachetelor SOI în fabricarea semiconductoarelor permite dezvoltarea de cipuri mai mici, mai rapide și mai fiabile. Angajamentul Semicera față de ingineria de precizie asigură că napolitanele noastre SOI îndeplinesc standardele înalte necesare pentru tehnologiile de ultimă oră în domenii precum telecomunicațiile, autovehiculele și electronicele de larg consum.
Alegerea SOI Wafer de la Semicera înseamnă a investi într-un produs care susține progresul tehnologiilor electronice și microelectronice. Napolitanele noastre sunt concepute pentru a oferi performanță și durabilitate îmbunătățite, contribuind la succesul proiectelor dumneavoastră de înaltă tehnologie și asigurându-vă că rămâneți în fruntea inovației.
Articole | Productie | Cercetare | Manichin |
Parametrii cristalului | |||
Politip | 4H | ||
Eroare de orientare la suprafață | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametrii electrici | |||
Dopant | azot de tip n | ||
Rezistivitate | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Parametri mecanici | |||
Diametru | 150,0±0,2mm | ||
Grosime | 350±25 μm | ||
Orientare plată primară | [1-100]±5° | ||
Lungime plată primară | 47,5±1,5mm | ||
Apartament secundar | Nici unul | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urzeală | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugozitate frontală (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Structura | |||
Densitatea microconductelor | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurități metalice | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Calitate față | |||
Faţă | Si | ||
Finisaj de suprafață | Si-face CMP | ||
Particule | ≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm) | NA | |
Zgârieturi | ≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru | Lungime cumulativă≤2*Diametru | NA |
Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare | Nici unul | NA | |
Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale | Nici unul | ||
Zone politip | Nici unul | Suprafata cumulata≤20% | Suprafata cumulata≤30% |
Marcaj frontal cu laser | Nici unul | ||
Calitate din spate | |||
Finisaj spate | C-face CMP | ||
Zgârieturi | ≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru | NA | |
Defecte din spate (așchii de margini/indentări) | Nici unul | ||
Rugozitatea spatelui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcare cu laser pe spate | 1 mm (de la marginea de sus) | ||
Margine | |||
Margine | Teşit | ||
Ambalare | |||
Ambalare | Epi-gata cu ambalare în vid Ambalare casete multi-plachete | ||
*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD. |