SiN Ceramics Substraturi simple

Scurtă descriere:

Substraturile simple din ceramică SiN de la Semicera oferă performanțe termice și mecanice excepționale pentru aplicații cu solicitare ridicată. Proiectate pentru durabilitate și fiabilitate superioare, aceste substraturi sunt ideale pentru dispozitivele electronice avansate. Alegeți Semicera pentru soluții ceramice SiN de înaltă calitate, adaptate nevoilor dumneavoastră.


Detaliu produs

Etichete de produs

Substraturile simple din ceramică SiN de la Semicera oferă o soluție de înaltă performanță pentru o varietate de aplicații electronice și industriale. Cunoscute pentru conductivitate termică excelentă și rezistență mecanică, aceste substraturi asigură o funcționare fiabilă în medii solicitante.

Ceramica noastră SiN (nitrură de siliciu) este concepută pentru a face față temperaturilor extreme și condițiilor de stres ridicat, făcându-le potrivite pentru electronice de mare putere și dispozitive semiconductoare avansate. Durabilitatea și rezistența la șocuri termice le fac ideale pentru utilizare în aplicații în care fiabilitatea și performanța sunt esențiale.

Procesele de producție de precizie ale Semicera asigură că fiecare substrat simplu îndeplinește standarde riguroase de calitate. Acest lucru are ca rezultat substraturi cu grosime constantă și calitate a suprafeței, care sunt esențiale pentru obținerea performanțelor optime în ansamblurile și sistemele electronice.

Pe lângă avantajele lor termice și mecanice, substraturile simple din ceramică SiN oferă proprietăți excelente de izolare electrică. Acest lucru asigură interferențe electrice minime și contribuie la stabilitatea și eficiența generală a componentelor electronice, sporind durata de viață a acestora.

Selectând substraturile simple din ceramică SiN de la Semicera, alegeți un produs care combină știința avansată a materialelor cu o producție de top. Angajamentul nostru față de calitate și inovație garantează că primiți substraturi care îndeplinesc cele mai înalte standarde din industrie și susțin succesul proiectelor dumneavoastră de tehnologie avansată.

Articole

Productie

Cercetare

Manichin

Parametrii cristalului

Politip

4H

Eroare de orientare la suprafață

<11-20 >4±0,15°

Parametrii electrici

Dopant

azot de tip n

Rezistivitate

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri mecanici

Diametru

150,0±0,2mm

Grosime

350±25 μm

Orientare plată primară

[1-100]±5°

Lungime plată primară

47,5±1,5mm

Apartament secundar

Nici unul

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urzeală

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugozitate frontală (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Structura

Densitatea microconductelor

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurități metalice

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calitate față

Faţă

Si

Finisaj de suprafață

Si-face CMP

Particule

≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm)

NA

Zgârieturi

≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru

Lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare

Nici unul

NA

Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale

Nici unul

Zone politip

Nici unul

Suprafata cumulata≤20%

Suprafata cumulata≤30%

Marcaj frontal cu laser

Nici unul

Calitate din spate

Finisaj spate

C-face CMP

Zgârieturi

≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Defecte din spate (așchii de margini/indentări)

Nici unul

Rugozitatea spatelui

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcare cu laser pe spate

1 mm (de la marginea de sus)

Margine

Margine

Teşitură

Ambalare

Ambalare

Epi-gata cu ambalare în vid

Ambalare casete multi-plachete

*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD.

tech_1_2_size
Napolitane SiC

  • Anterior:
  • Următorul: