Substraturile simple din ceramică SiN de la Semicera oferă o soluție de înaltă performanță pentru o varietate de aplicații electronice și industriale. Cunoscute pentru conductivitate termică excelentă și rezistență mecanică, aceste substraturi asigură o funcționare fiabilă în medii solicitante.
Ceramica noastră SiN (nitrură de siliciu) este concepută pentru a face față temperaturilor extreme și condițiilor de stres ridicat, făcându-le potrivite pentru electronice de mare putere și dispozitive semiconductoare avansate. Durabilitatea și rezistența la șocuri termice le fac ideale pentru utilizare în aplicații în care fiabilitatea și performanța sunt esențiale.
Procesele de producție de precizie ale Semicera asigură că fiecare substrat simplu îndeplinește standarde riguroase de calitate. Acest lucru are ca rezultat substraturi cu grosime constantă și calitate a suprafeței, care sunt esențiale pentru obținerea performanțelor optime în ansamblurile și sistemele electronice.
Pe lângă avantajele lor termice și mecanice, substraturile simple din ceramică SiN oferă proprietăți excelente de izolare electrică. Acest lucru asigură interferențe electrice minime și contribuie la stabilitatea și eficiența generală a componentelor electronice, sporind durata de viață a acestora.
Selectând substraturile simple din ceramică SiN de la Semicera, alegeți un produs care combină știința avansată a materialelor cu o producție de top. Angajamentul nostru față de calitate și inovație garantează că primiți substraturi care îndeplinesc cele mai înalte standarde din industrie și susțin succesul proiectelor dumneavoastră de tehnologie avansată.
Articole | Productie | Cercetare | Manichin |
Parametrii cristalului | |||
Politip | 4H | ||
Eroare de orientare la suprafață | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametrii electrici | |||
Dopant | azot de tip n | ||
Rezistivitate | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Parametri mecanici | |||
Diametru | 150,0±0,2mm | ||
Grosime | 350±25 μm | ||
Orientare plată primară | [1-100]±5° | ||
Lungime plată primară | 47,5±1,5mm | ||
Apartament secundar | Nici unul | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urzeală | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugozitate frontală (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Structura | |||
Densitatea microconductelor | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurități metalice | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Calitate față | |||
Faţă | Si | ||
Finisaj de suprafață | Si-face CMP | ||
Particule | ≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm) | NA | |
Zgârieturi | ≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru | Lungime cumulativă≤2*Diametru | NA |
Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare | Nici unul | NA | |
Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale | Nici unul | ||
Zone politip | Nici unul | Suprafata cumulata≤20% | Suprafata cumulata≤30% |
Marcaj frontal cu laser | Nici unul | ||
Calitate din spate | |||
Finisaj spate | C-face CMP | ||
Zgârieturi | ≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru | NA | |
Defecte din spate (așchii de margini/indentări) | Nici unul | ||
Rugozitatea spatelui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcare cu laser pe spate | 1 mm (de la marginea de sus) | ||
Margine | |||
Margine | Teşitură | ||
Ambalare | |||
Ambalare | Epi-gata cu ambalare în vid Ambalare casete multi-plachete | ||
*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD. |