Semicera Silicon Wafers sunt realizate meticulos pentru a servi drept bază pentru o gamă largă de dispozitive semiconductoare, de la microprocesoare la celule fotovoltaice. Aceste napolitane sunt proiectate cu precizie și puritate ridicate, asigurând performanțe optime în diverse aplicații electronice.
Fabricate folosind tehnici avansate, Semicera Silicon Wafers prezintă planeitate și uniformitate excepționale, care sunt esențiale pentru obținerea unor randamente ridicate în fabricarea semiconductoarelor. Acest nivel de precizie ajută la minimizarea defectelor și la îmbunătățirea eficienței generale a componentelor electronice.
Calitatea superioară a plăcilor de silicon Semicera este evidentă în caracteristicile lor electrice, care contribuie la performanța îmbunătățită a dispozitivelor semiconductoare. Cu niveluri scăzute de impurități și calitate ridicată a cristalului, aceste napolitane oferă platforma ideală pentru dezvoltarea electronicelor de înaltă performanță.
Disponibil în diferite dimensiuni și specificații, Semicera Silicon Wafers pot fi adaptate pentru a satisface nevoile specifice ale diferitelor industrii, inclusiv cele de calcul, telecomunicații și energie regenerabilă. Fie pentru producție la scară largă, fie pentru cercetare specializată, aceste napolitane oferă rezultate fiabile.
Semicera se angajează să susțină creșterea și inovarea industriei semiconductoarelor prin furnizarea de plachete de siliciu de înaltă calitate, care îndeplinesc cele mai înalte standarde din industrie. Cu accent pe precizie și fiabilitate, Semicera permite producătorilor să depășească limitele tehnologiei, asigurându-se că produsele lor rămân în fruntea pieței.
Articole | Productie | Cercetare | Manichin |
Parametrii cristalului | |||
Politip | 4H | ||
Eroare de orientare la suprafață | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametrii electrici | |||
Dopant | azot de tip n | ||
Rezistivitate | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Parametri mecanici | |||
Diametru | 150,0±0,2mm | ||
Grosime | 350±25 μm | ||
Orientare plată primară | [1-100]±5° | ||
Lungime plată primară | 47,5±1,5mm | ||
Apartament secundar | Nici unul | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urzeală | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugozitate frontală (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Structura | |||
Densitatea microconductelor | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurități metalice | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Calitate față | |||
Faţă | Si | ||
Finisaj de suprafață | Si-face CMP | ||
Particule | ≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm) | NA | |
Zgârieturi | ≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru | Lungime cumulativă≤2*Diametru | NA |
Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare | Nici unul | NA | |
Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale | Nici unul | ||
Zone politip | Nici unul | Suprafata cumulata≤20% | Suprafata cumulata≤30% |
Marcaj frontal cu laser | Nici unul | ||
Calitate din spate | |||
Finisaj spate | C-face CMP | ||
Zgârieturi | ≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru | NA | |
Defecte din spate (așchii de margini/indentări) | Nici unul | ||
Rugozitatea spatelui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcare cu laser pe spate | 1 mm (de la marginea de sus) | ||
Margine | |||
Margine | Teşit | ||
Ambalare | |||
Ambalare | Epi-gata cu ambalare în vid Ambalare casete multi-plachete | ||
*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD. |