Vafer de siliciu

Scurtă descriere:

Semicera Silicon Wafers sunt piatra de temelie a dispozitivelor semiconductoare moderne, oferind puritate și precizie de neegalat. Proiectate pentru a satisface cerințele stricte ale industriilor de înaltă tehnologie, aceste napolitane asigură performanță fiabilă și calitate constantă. Aveți încredere în Semicera pentru aplicațiile dumneavoastră electronice de ultimă oră și soluțiile tehnologice inovatoare.


Detaliu produs

Etichete de produs

Semicera Silicon Wafers sunt realizate meticulos pentru a servi drept bază pentru o gamă largă de dispozitive semiconductoare, de la microprocesoare la celule fotovoltaice. Aceste napolitane sunt proiectate cu precizie și puritate ridicate, asigurând performanțe optime în diverse aplicații electronice.

Fabricate folosind tehnici avansate, Semicera Silicon Wafers prezintă planeitate și uniformitate excepționale, care sunt esențiale pentru obținerea unor randamente ridicate în fabricarea semiconductoarelor. Acest nivel de precizie ajută la minimizarea defectelor și la îmbunătățirea eficienței generale a componentelor electronice.

Calitatea superioară a plăcilor de silicon Semicera este evidentă în caracteristicile lor electrice, care contribuie la performanța îmbunătățită a dispozitivelor semiconductoare. Cu niveluri scăzute de impurități și calitate ridicată a cristalului, aceste napolitane oferă platforma ideală pentru dezvoltarea electronicelor de înaltă performanță.

Disponibil în diferite dimensiuni și specificații, Semicera Silicon Wafers pot fi adaptate pentru a satisface nevoile specifice ale diferitelor industrii, inclusiv cele de calcul, telecomunicații și energie regenerabilă. Fie pentru producție la scară largă, fie pentru cercetare specializată, aceste napolitane oferă rezultate fiabile.

Semicera se angajează să susțină creșterea și inovarea industriei semiconductoarelor prin furnizarea de plachete de siliciu de înaltă calitate, care îndeplinesc cele mai înalte standarde din industrie. Cu accent pe precizie și fiabilitate, Semicera permite producătorilor să depășească limitele tehnologiei, asigurându-se că produsele lor rămân în fruntea pieței.

Articole

Productie

Cercetare

Manichin

Parametrii cristalului

Politip

4H

Eroare de orientare la suprafață

<11-20 >4±0,15°

Parametrii electrici

Dopant

azot de tip n

Rezistivitate

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri mecanici

Diametru

150,0±0,2mm

Grosime

350±25 μm

Orientare plată primară

[1-100]±5°

Lungime plată primară

47,5±1,5mm

Apartament secundar

Nici unul

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urzeală

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugozitate frontală (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Structura

Densitatea microconductelor

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurități metalice

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calitate față

Faţă

Si

Finisaj de suprafață

Si-face CMP

Particule

≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm)

NA

Zgârieturi

≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru

Lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare

Nici unul

NA

Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale

Nici unul

Zone politip

Nici unul

Suprafata cumulata≤20%

Suprafata cumulata≤30%

Marcaj frontal cu laser

Nici unul

Calitate din spate

Finisaj spate

C-face CMP

Zgârieturi

≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Defecte din spate (așchii de margini/indentări)

Nici unul

Rugozitatea spatelui

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcare cu laser pe spate

1 mm (de la marginea de sus)

Margine

Margine

Teşit

Ambalare

Ambalare

Epi-gata cu ambalare în vid

Ambalare casete multi-plachete

*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD.

tech_1_2_size
Napolitane SiC

  • Anterior:
  • Următorul: