Substrat de siliciu

Scurtă descriere:

Substratele de silicon Semicera sunt proiectate cu precizie pentru aplicații de înaltă performanță în fabricarea de electronice și semiconductori. Cu o puritate și uniformitate excepționale, aceste substraturi sunt concepute pentru a susține procese tehnologice avansate. Semicera asigură calitate constantă și fiabilitate pentru cele mai solicitante proiecte.


Detaliu produs

Etichete de produs

Substratele de silicon Semicera sunt create pentru a satisface cerințele riguroase ale industriei semiconductoarelor, oferind o calitate și precizie de neegalat. Aceste substraturi oferă o bază de încredere pentru diverse aplicații, de la circuite integrate la celule fotovoltaice, asigurând performanță și longevitate optime.

Puritatea ridicată a substraturilor de silicon Semicera asigură defecte minime și caracteristici electrice superioare, care sunt critice pentru producerea de componente electronice de înaltă eficiență. Acest nivel de puritate ajută la reducerea pierderilor de energie și la îmbunătățirea eficienței generale a dispozitivelor semiconductoare.

Semicera folosește tehnici de producție de ultimă generație pentru a produce substraturi de siliciu cu uniformitate și planeitate excepționale. Această precizie este esențială pentru obținerea unor rezultate consistente în fabricarea semiconductoarelor, unde chiar și cea mai mică variație poate afecta performanța și randamentul dispozitivului.

Disponibil într-o varietate de dimensiuni și specificații, substraturile de silicon Semicera răspund unei game largi de nevoi industriale. Indiferent dacă dezvoltați microprocesoare de ultimă oră sau panouri solare, aceste substraturi oferă flexibilitatea și fiabilitatea necesare pentru aplicația dumneavoastră specifică.

Semicera este dedicată susținerii inovației și eficienței în industria semiconductoarelor. Prin furnizarea de substraturi de siliciu de înaltă calitate, le permitem producătorilor să depășească limitele tehnologiei, furnizând produse care îndeplinesc cerințele în evoluție ale pieței. Aveți încredere în Semicera pentru soluțiile dumneavoastră electronice și fotovoltaice de ultimă generație.

Articole

Productie

Cercetare

Manichin

Parametrii cristalului

Politip

4H

Eroare de orientare la suprafață

<11-20 >4±0,15°

Parametrii electrici

Dopant

azot de tip n

Rezistivitate

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri mecanici

Diametru

150,0±0,2mm

Grosime

350±25 μm

Orientare plată primară

[1-100]±5°

Lungime plată primară

47,5±1,5mm

Apartament secundar

Nici unul

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urzeală

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugozitate frontală (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Structura

Densitatea microconductelor

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurități metalice

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calitate față

Faţă

Si

Finisaj de suprafață

Si-face CMP

Particule

≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm)

NA

Zgârieturi

≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru

Lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare

Nici unul

NA

Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale

Nici unul

Zone politip

Nici unul

Suprafata cumulata≤20%

Suprafata cumulata≤30%

Marcaj frontal cu laser

Nici unul

Calitate din spate

Finisaj spate

C-face CMP

Zgârieturi

≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Defecte din spate (așchii de margini/indentări)

Nici unul

Rugozitatea spatelui

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcare cu laser pe spate

1 mm (de la marginea de sus)

Margine

Margine

Teşit

Ambalare

Ambalare

Epi-gata cu ambalare în vid

Ambalare casete multi-plachete

*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD.

tech_1_2_size
Napolitane SiC

  • Anterior:
  • Următorul: