Substratul ceramic cu nitrură de siliciu de la Semicera reprezintă vârful tehnologiei avansate ale materialelor, oferind o conductivitate termică excepțională și proprietăți mecanice robuste. Proiectat pentru aplicații de înaltă performanță, acest substrat excelează în mediile care necesită un management termic fiabil și integritate structurală.
Substraturile noastre ceramice cu nitrură de siliciu sunt concepute pentru a rezista la temperaturi extreme și condiții dure, făcându-le ideale pentru dispozitive electronice de mare putere și de înaltă frecvență. Conductivitatea lor termică superioară asigură o disipare eficientă a căldurii, care este crucială pentru menținerea performanței și longevității componentelor electronice.
Angajamentul Semicera față de calitate este evident în fiecare substrat ceramic cu nitrură de siliciu pe care îl producem. Fiecare substrat este fabricat folosind procese de ultimă generație pentru a asigura performanță constantă și defecte minime. Acest nivel ridicat de precizie susține cerințele riguroase ale industriilor precum cea auto, aerospațială și telecomunicații.
Pe lângă beneficiile lor termice și mecanice, substraturile noastre oferă proprietăți excelente de izolare electrică, care contribuie la fiabilitatea generală a dispozitivelor dumneavoastră electronice. Prin reducerea interferențelor electrice și îmbunătățirea stabilității componentelor, substraturile ceramice cu nitrură de siliciu de la Semicera joacă un rol crucial în optimizarea performanței dispozitivului.
Alegerea substratului ceramic cu nitrură de siliciu de la Semicera înseamnă a investi într-un produs care oferă atât performanță ridicată, cât și durabilitate. Substraturile noastre sunt proiectate pentru a satisface nevoile aplicațiilor electronice avansate, asigurându-se că dispozitivele dumneavoastră beneficiază de tehnologie de ultimă oră și fiabilitate excepțională.
Articole | Productie | Cercetare | Manichin |
Parametrii cristalului | |||
Politip | 4H | ||
Eroare de orientare la suprafață | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametrii electrici | |||
Dopant | azot de tip n | ||
Rezistivitate | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Parametri mecanici | |||
Diametru | 150,0±0,2mm | ||
Grosime | 350±25 μm | ||
Orientare plată primară | [1-100]±5° | ||
Lungime plată primară | 47,5±1,5mm | ||
Apartament secundar | Nici unul | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urzeală | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugozitate frontală (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Structura | |||
Densitatea microconductelor | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurități metalice | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Calitate față | |||
Faţă | Si | ||
Finisaj de suprafață | Si-face CMP | ||
Particule | ≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm) | NA | |
Zgârieturi | ≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru | Lungime cumulativă≤2*Diametru | NA |
Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare | Nici unul | NA | |
Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale | Nici unul | ||
Zone politip | Nici unul | Suprafata cumulata≤20% | Suprafata cumulata≤30% |
Marcaj frontal cu laser | Nici unul | ||
Calitate din spate | |||
Finisaj spate | C-face CMP | ||
Zgârieturi | ≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru | NA | |
Defecte din spate (așchii de margini/indentări) | Nici unul | ||
Rugozitatea spatelui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcare cu laser pe spate | 1 mm (de la marginea de sus) | ||
Margine | |||
Margine | Teşitură | ||
Ambalare | |||
Ambalare | Epi-gata cu ambalare în vid Ambalare casete multi-plachete | ||
*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD. |