Prezentare generală a produsului
TheCarbură de siliciu impregnată cu siliciu (SiC) Paddle și Wafer Carriereste conceput pentru a satisface cerințele exigente ale aplicațiilor de procesare termică a semiconductoarelor. Fabricat din SiC de înaltă puritate și îmbunătățit prin impregnare cu siliciu, acest produs oferă o combinație unică de performanță la temperatură înaltă, conductivitate termică excelentă, rezistență la coroziune și rezistență mecanică remarcabilă.
Prin integrarea științei materialelor avansate cu producția de precizie, această soluție asigură performanțe superioare, fiabilitate și durabilitate pentru producătorii de semiconductori.
Caracteristici cheie
1.Rezistență excepțională la temperaturi ridicate
Cu un punct de topire care depășește 2700°C, materialele SiC sunt în mod inerent stabile la căldură extremă. Impregnarea cu silicon le îmbunătățește și mai mult stabilitatea termică, permițându-le să reziste la expunerea prelungită la temperaturi ridicate fără slăbire structurală sau degradare a performanței.
2.Conductivitate termică superioară
Conductivitatea termică excepțională a SiC impregnat cu siliciu asigură o distribuție uniformă a căldurii, reducând stresul termic în timpul etapelor critice de procesare. Această proprietate prelungește durata de viață a echipamentului și minimizează timpul de oprire a producției, făcându-l ideal pentru procesarea termică la temperatură înaltă.
3.Rezistență la oxidare și coroziune
Un strat robust de oxid de siliciu se formează în mod natural pe suprafață, oferind o rezistență remarcabilă la oxidare și coroziune. Acest lucru asigură fiabilitatea pe termen lung în medii dure de operare, protejând atât materialul, cât și componentele din jur.
4.Rezistență mecanică ridicată și rezistență la uzură
SiC impregnat cu siliciu are o rezistență excelentă la compresiune și rezistență la uzură, menținându-și integritatea structurală în condiții de încărcare mare și temperatură ridicată. Acest lucru reduce riscul de deteriorare cauzată de uzură, asigurând o performanță constantă pe cicluri de utilizare extinse.
Specificații
| Nume produs | SC-RSiC-Si |
| Material | Impregnare cu siliciu Carbură de siliciu Compact (puritate ridicată) |
| Aplicații | Piese de tratare termică a semiconductoarelor, Piese de echipamente pentru fabricarea semiconductoarelor |
| Formular de livrare | Corp turnat (corp sinterizat) |
| Compoziţie | Proprietate mecanică | Modulul Young (GPa) | Rezistența la încovoiere (MPa) | ||
| Compoziție (vol%) | α-SiC | α-SiC | RT | 370 | 250 |
| 82 | 18 | 800°C | 360 | 220 | |
| Densitate în vrac (kg/m³) | 3,02 x 103 | 1200°C | 340 | 220 | |
| Temperatură rezistentă la căldură °C | 1350 | Raportul lui Poisson | 0,18(RT) | ||
| Proprietate termică | Conductivitate termică (W/(m·K)) | Capacitate termică specifică (kJ/(kg·K)) | Coeficientul de dilatare termică (1/K) | ||
| RT | 220 | 0,7 | RT~700°C | 3,4 x 10-6 | |
| 700°C | 60 | 1.23 | 700~1200°C | 4,3 x10-6 | |
| Conținut de impurități ((ppm) | |||||||||||||
| Element | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| Rata de conținut | 3 | <2 | <0,5 | <0,1 | <1 | 5 | 0,3 | <0,1 | <0,1 | <0,1 | <0,3 | <0,3 | 25 |
Aplicații
▪Procesare termică semiconductoare:Ideal pentru procese precum depunerea chimică în vapori (CVD), creșterea epitaxială și recoacere, unde controlul precis al temperaturii și durabilitatea materialului sunt esențiale.
▪Purtători de napolitane și palete:Conceput pentru a ține și transporta în siguranță napolitanele în timpul tratamentelor termice la temperaturi înalte.
▪Medii de operare extreme: Potrivit pentru setările care necesită rezistență la căldură, expunere chimică și stres mecanic.
Avantajele SiC impregnate cu siliciu
Combinația dintre carbură de siliciu de înaltă puritate și tehnologia avansată de impregnare cu siliciu oferă beneficii de performanță de neegalat:
▪Precizie:Îmbunătățește acuratețea și controlul procesării semiconductoarelor.
▪Stabilitate:Rezistă în medii dure fără a compromite funcționalitatea.
▪Longevitate:Prelungește durata de viață a echipamentelor de fabricare a semiconductorilor.
▪Eficienţă:Îmbunătățește productivitatea prin asigurarea unor rezultate fiabile și consistente.
De ce să alegeți soluțiile noastre SiC impregnate cu siliciu?
At Semiceră, suntem specializați în furnizarea de soluții de înaltă performanță, adaptate nevoilor producătorilor de semiconductori. Paleta și suportul pentru napolitană din carbură de siliciu impregnată cu siliciu sunt supuse unor teste riguroase și asigurării calității pentru a îndeplini standardele din industrie. Alegând Semicera, obțineți acces la materiale de ultimă oră concepute pentru a vă optimiza procesele de producție și pentru a vă îmbunătăți capacitățile de producție.
Specificatii tehnice
▪Compoziția materialului:Carbură de siliciu de înaltă puritate cu impregnare cu siliciu.
▪Interval de temperatură de funcționare:Până la 2700°C.
▪ Conductivitate termică:Excepțional de ridicat pentru o distribuție uniformă a căldurii.
▪Proprietăți de rezistență:Rezistent la oxidare, coroziune și uzură.
▪Aplicatii:Compatibil cu diferite sisteme de procesare termică a semiconductoarelor.
Contactaţi-ne
Sunteți gata să vă îmbunătățiți procesul de fabricație a semiconductorilor? ContactSemicerăastăzi pentru a afla mai multe despre paleta și suportul de vafe din carbură de siliciu impregnat cu siliciu.
▪E-mail: sales01@semi-cera.com/sales05@semi-cera.com
▪Telefon: +86-0574-8650 3783
▪Locaţie:No.1958 Jiangnan Road, Ningbo High tech, Zone, Zhejiang Province, 315201, China
