Filmul de silicon de la Semicera este un material de înaltă calitate, proiectat cu precizie, conceput pentru a îndeplini cerințele stricte ale industriei semiconductoarelor. Fabricată din siliciu pur, această soluție cu peliculă subțire oferă o uniformitate excelentă, puritate ridicată și proprietăți electrice și termice excepționale. Este ideal pentru utilizare în diverse aplicații de semiconductor, inclusiv producția de Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate și Epi-Wafer. Filmul de silicon Semicera asigură performanțe fiabile și consistente, făcându-l un material esențial pentru microelectronica avansată.
Calitate și performanță superioară pentru producția de semiconductori
Filmul de siliciu Semicera este cunoscut pentru rezistența sa mecanică remarcabilă, stabilitatea termică ridicată și ratele scăzute de defecte, toate acestea fiind cruciale în fabricarea semiconductorilor de înaltă performanță. Indiferent dacă este utilizat în producția de dispozitive cu oxid de galiu (Ga2O3), AlN Wafer sau Epi-Wafers, filmul oferă o bază solidă pentru depunerea filmului subțire și creșterea epitaxială. Compatibilitatea sa cu alte substraturi semiconductoare, cum ar fi SiC Substrate și SOI Wafers, asigură o integrare perfectă în procesele de producție existente, ajutând la menținerea randamentelor ridicate și a calității constante a produsului.
Aplicații în industria semiconductoarelor
În industria semiconductoarelor, filmul de silicon Semicera este utilizat într-o gamă largă de aplicații, de la producția de Si Wafer și SOI Wafer până la utilizări mai specializate, cum ar fi SiN Substrate și crearea Epi-Wafer. Puritatea ridicată și precizia acestui film îl fac esențial în producția de componente avansate utilizate în orice, de la microprocesoare și circuite integrate până la dispozitive optoelectronice.
Filmul de siliciu joacă un rol critic în procesele semiconductoare, cum ar fi creșterea epitaxială, legarea plachetelor și depunerea de peliculă subțire. Proprietățile sale de încredere sunt deosebit de valoroase pentru industriile care necesită medii foarte controlate, cum ar fi camerele curate din fabricile de semiconductori. În plus, filmul de silicon poate fi integrat în sistemele de casete pentru manipularea și transportul eficient al plachetelor în timpul producției.
Fiabilitate și consecvență pe termen lung
Unul dintre avantajele cheie ale utilizării filmului de silicon Semicera este fiabilitatea sa pe termen lung. Cu durabilitatea sa excelentă și calitatea constantă, această folie oferă o soluție de încredere pentru mediile de producție cu volum mare. Fie că este utilizat în dispozitive semiconductoare de înaltă precizie sau în aplicații electronice avansate, filmul de silicon Semicera asigură că producătorii pot obține performanțe și fiabilitate ridicate într-o gamă largă de produse.
De ce să alegeți filmul de silicon Semicera?
Filmul de silicon de la Semicera este un material esențial pentru aplicațiile de ultimă oră în industria semiconductoarelor. Proprietățile sale de înaltă performanță, inclusiv stabilitatea termică excelentă, puritatea ridicată și rezistența mecanică, îl fac alegerea ideală pentru producătorii care doresc să atingă cele mai înalte standarde în producția de semiconductori. De la Si Wafer și SiC Substrate până la producția de dispozitive cu oxid de galiu Ga2O3, acest film oferă o calitate și performanță de neegalat.
Cu filmul de silicon Semicera, puteți avea încredere într-un produs care răspunde nevoilor producției moderne de semiconductori, oferind o bază de încredere pentru următoarea generație de electronice.
Articole | Productie | Cercetare | Manichin |
Parametrii cristalului | |||
Politip | 4H | ||
Eroare de orientare la suprafață | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametrii electrici | |||
Dopant | azot de tip n | ||
Rezistivitate | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Parametri mecanici | |||
Diametru | 150,0±0,2mm | ||
Grosime | 350±25 μm | ||
Orientare plată primară | [1-100]±5° | ||
Lungime plată primară | 47,5±1,5mm | ||
Apartament secundar | Nici unul | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urzeală | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugozitate frontală (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Structura | |||
Densitatea microconductelor | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurități metalice | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Calitate față | |||
Faţă | Si | ||
Finisaj de suprafață | Si-face CMP | ||
Particule | ≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm) | NA | |
Zgârieturi | ≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru | Lungime cumulativă≤2*Diametru | NA |
Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare | Nici unul | NA | |
Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale | Nici unul | ||
Zone politip | Nici unul | Suprafata cumulata≤20% | Suprafata cumulata≤30% |
Marcaj frontal cu laser | Nici unul | ||
Calitate din spate | |||
Finisaj spate | C-face CMP | ||
Zgârieturi | ≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru | NA | |
Defecte din spate (așchii de margini/indentări) | Nici unul | ||
Rugozitatea spatelui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcare cu laser pe spate | 1 mm (de la marginea de sus) | ||
Margine | |||
Margine | Teşit | ||
Ambalare | |||
Ambalare | Epi-gata cu ambalare în vid Ambalare casete multi-plachete | ||
*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD. |