Descriere
Susceptorii de grafit acoperiți cu SiC de la Semicera sunt proiectați folosind substraturi de grafit de înaltă calitate, care sunt acoperiți meticulos cu carbură de siliciu (SiC) prin procese avansate de depunere în vapori chimici (CVD). Acest design inovator asigură o rezistență excepțională la șocul termic și degradarea chimică, extinzând în mod semnificativ durata de viață a susceptorului de grafit acoperit cu SiC și garantând performanță fiabilă pe tot parcursul procesului de fabricație a semiconductorilor.
Caracteristici cheie:
1. Conductivitate termică superioarăSusceptorul de grafit acoperit cu SiC prezintă o conductivitate termică remarcabilă, care este crucială pentru disiparea eficientă a căldurii în timpul producției de semiconductori. Această caracteristică minimizează gradienții termici pe suprafața plachetei, promovând distribuția uniformă a temperaturii, esențială pentru obținerea proprietăților semiconductoarelor dorite.
2. Rezistență robustă la șocuri chimice și termiceAcoperirea SiC oferă o protecție formidabilă împotriva coroziunii chimice și șocului termic, menținând integritatea susceptorului de grafit chiar și în medii dure de procesare. Această durabilitate sporită reduce timpul de nefuncționare și prelungește durata de viață, contribuind la creșterea productivității și eficienței costurilor în instalațiile de producție de semiconductori.
3. Personalizare pentru nevoi specificeSusceptorii noștri de grafit acoperiți cu SiC pot fi adaptați pentru a îndeplini cerințele și preferințele specifice. Oferim o gamă de opțiuni de personalizare, inclusiv ajustări de dimensiune și variații ale grosimii stratului de acoperire, pentru a asigura flexibilitatea designului și performanța optimizată pentru diferite aplicații și parametri de proces.
Aplicații:
AplicațiiAcoperirile Semicera SiC sunt utilizate în diferite etape de fabricație a semiconductorilor, inclusiv:
1. -Fabricare cip LED
2. -Producția de polisiliciu
3. -Creșterea cristalelor semiconductoare
4. -Siliciu și Epitaxie SiC
5. -Oxidarea și difuzia termică (TO&D)