SemiceraPaleta de napolitană SiC Cantilevereste conceput pentru a satisface cerințele producției moderne de semiconductori. Acestpaleta de napolitanăoferă o rezistență mecanică și o rezistență termică excelente, ceea ce este critic pentru manipularea napolitanelor în medii cu temperaturi ridicate.
Designul cantilever SiC permite plasarea precisă a plachetelor, reducând riscul de deteriorare în timpul manipulării. Conductivitatea sa termică ridicată asigură stabilitatea plăcii chiar și în condiții extreme, ceea ce este esențial pentru menținerea eficienței producției.
Pe lângă avantajele sale structurale, Semicera'sPaleta de napolitană SiC Cantileverofera si avantaje in greutate si durabilitate. Construcția ușoară facilitează manevrarea și integrarea în sistemele existente, în timp ce materialul SiC de înaltă densitate asigură durabilitate de lungă durată în condiții solicitante.
| Proprietățile fizice ale carburii de siliciu recristalizate | |
| Proprietate | Valoare tipică |
| Temperatura de lucru (°C) | 1600°C (cu oxigen), 1700°C (mediu de reducere) |
| continut SiC | > 99,96% |
| Conținut gratuit Si | < 0,1% |
| Densitate în vrac | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porozitate aparentă | < 16% |
| Rezistența la compresiune | > 600 MPa |
| Rezistența la îndoire la rece | 80-90 MPa (20°C) |
| Rezistența la îndoire la cald | 90-100 MPa (1400°C) |
| Expansiune termică la 1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Conductivitate termică @1200°C | 23 W/m•K |
| Modulul elastic | 240 GPa |
| Rezistenta la socuri termice | Extrem de bine |
-
Pâslă dură din grafit premium de la Semicera...
-
Reactor epitaxial cu semiconductor acoperit cu SiC pentru...
-
Încălzitor de substrat MOCVD de înaltă calitate
-
Element de încălzire acoperit cu carbură de siliciu de înaltă calitate...
-
Pâslă rigidă din grafit pentru cuptor cu vid
-
Cadru din material CFC de înaltă calitate