a lui SemiceraPalete SiCsunt proiectate pentru o expansiune termică minimă, oferind stabilitate și precizie în procesele în care acuratețea dimensională este critică. Acest lucru le face ideale pentru aplicații în carenapolitanesunt supuse unor cicluri repetate de încălzire și răcire, deoarece napolitana își menține integritatea structurală, asigurând performanțe consistente.
Încorporând Semicera'spalete de difuzie cu carbură de siliciuîn linia dumneavoastră de producție va spori fiabilitatea procesului dumneavoastră, datorită proprietăților lor termice și chimice superioare. Aceste palete sunt perfecte pentru procesele de difuzie, oxidare și recoacere, asigurându-se că napolitanele sunt manipulate cu grijă și precizie pe parcursul fiecărei etape.
Inovația se află în centrul SemiceraVâslă SiCproiecta. Aceste palete sunt adaptate pentru a se potrivi perfect în echipamentele semiconductoare existente, oferind o eficiență sporită de manipulare. Structura ușoară și designul ergonomic nu numai că îmbunătățesc transportul napolitanelor, ci și reduc timpul de nefuncționare, rezultând o producție eficientă.
| Proprietățile fizice ale carburii de siliciu recristalizate | |
| Proprietate | Valoare tipică |
| Temperatura de lucru (°C) | 1600°C (cu oxigen), 1700°C (mediu de reducere) |
| continut SiC | > 99,96% |
| Conținut gratuit Si | < 0,1% |
| Densitate în vrac | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porozitate aparentă | < 16% |
| Rezistența la compresiune | > 600 MPa |
| Rezistența la îndoire la rece | 80-90 MPa (20°C) |
| Rezistența la îndoire la cald | 90-100 MPa (1400°C) |
| Expansiune termică la 1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Conductivitate termică @1200°C | 23 W/m•K |
| Modulul elastic | 240 GPa |
| Rezistenta la socuri termice | Extrem de bine |
