Carbură de siliciu în vrac CVD (SiC)
Prezentare generală:CVDcarbură de siliciu în vrac (SiC)este un material foarte căutat în echipamentele de gravare cu plasmă, aplicațiile de procesare termică rapidă (RTP) și alte procese de fabricare a semiconductorilor. Proprietățile sale mecanice, chimice și termice excepționale îl fac un material ideal pentru aplicații cu tehnologie avansată care necesită precizie și durabilitate ridicate.
Aplicații ale CVD Bulk SiC:SiC-ul în vrac este crucial în industria semiconductoarelor, în special în sistemele de gravare cu plasmă, unde componente precum inelele de focalizare, dușurile cu gaz, inelele de margine și plăcile beneficiază de rezistența remarcabilă la coroziune și conductibilitatea termică a SiC. Utilizarea sa se extinde laRTPsisteme datorită capacității SiC de a rezista la fluctuații rapide de temperatură fără o degradare semnificativă.
Pe lângă echipamentele de gravare, CVDSiC în vraceste favorizată în cuptoarele de difuzie și procesele de creștere a cristalelor, unde sunt necesare stabilitate termică ridicată și rezistență la medii chimice dure. Aceste atribute fac din SiC materialul de alegere pentru aplicațiile cu cerere mare care implică temperaturi ridicate și gaze corozive, cum ar fi cele care conțin clor și fluor.
Avantajele componentelor CVD Bulk SiC:
•Densitate mare:Cu o densitate de 3,2 g/cm³,CVD în vrac SiCcomponentele sunt foarte rezistente la uzură și impact mecanic.
•Conductivitate termică superioară:Oferind o conductivitate termică de 300 W/m·K, SiC în vrac gestionează eficient căldura, făcându-l ideal pentru componentele expuse la cicluri termice extreme.
•Rezistență chimică excepțională:Reactivitatea scăzută a SiC cu gazele de gravare, inclusiv substanțele chimice pe bază de clor și fluor, asigură o viață prelungită a componentelor.
•Rezistivitate reglabila: CVD-uri în vrac SiCrezistivitatea poate fi personalizată în intervalul 10⁻²–10⁴ Ω-cm, făcându-l adaptabil la nevoile specifice de gravare și fabricare a semiconductorilor.
•Coeficientul de dilatare termică:Cu un coeficient de dilatare termică de 4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), CVD bulk SiC rezistă șocului termic, menținând stabilitatea dimensională chiar și în timpul ciclurilor rapide de încălzire și răcire.
•Durabilitate în plasmă:Expunerea la plasmă și gaze reactive este inevitabilă în procesele semiconductoare, darCVD în vrac SiCoferă rezistență superioară la coroziune și degradare, reducând frecvența de înlocuire și costurile generale de întreținere.
Specificatii tehnice:
•Diametru:Mai mare de 305 mm
•Rezistivitate:Ajustabil între 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Densitate:3,2 g/cm³
•Conductivitate termică:300 W/m·K
•Coeficientul de dilatare termică:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
Personalizare și flexibilitate:LaSemicera Semiconductor, înțelegem că fiecare aplicație de semiconductor poate necesita specificații diferite. De aceea, componentele noastre CVD în vrac SiC sunt complet personalizabile, cu rezistivitate reglabilă și dimensiuni adaptate pentru a se potrivi nevoilor echipamentelor dumneavoastră. Indiferent dacă vă optimizați sistemele de gravare cu plasmă sau căutați componente durabile în procesele RTP sau de difuzie, SiC nostru CVD în vrac oferă performanțe de neegalat.
