Ca una dintre componentele de bază aleEchipamente MOCVD, baza de grafit este purtătorul și corpul de încălzire al substratului, care determină în mod direct uniformitatea și puritatea materialului film, astfel încât calitatea acestuia afectează direct pregătirea foii epitaxiale și, în același timp, odată cu creșterea numărului de utilizari si schimbarea conditiilor de lucru, este foarte usor de purtat, apartinand consumabilelor.
Deși grafitul are o conductivitate termică și o stabilitate excelente, are un avantaj bun ca componentă de bază aEchipamente MOCVD, dar în procesul de producție, grafitul va coroda pulberea din cauza reziduurilor de gaze corozive și substanțe organice metalice, iar durata de viață a bazei de grafit va fi mult redusă.În același timp, căderea pulberii de grafit va cauza poluarea cipului.
Apariția tehnologiei de acoperire poate asigura fixarea pulberii la suprafață, poate îmbunătăți conductibilitatea termică și poate egaliza distribuția căldurii, care a devenit principala tehnologie pentru a rezolva această problemă.Baza de grafit inEchipamente MOCVDmediu de utilizare, stratul de suprafață pe bază de grafit trebuie să îndeplinească următoarele caracteristici:
(1) Baza de grafit poate fi înfășurată complet, iar densitatea este bună, altfel baza de grafit este ușor de corodat în gazul coroziv.
(2) Rezistența combinației cu baza de grafit este mare pentru a se asigura că stratul de acoperire nu poate cădea ușor după mai multe cicluri de temperatură ridicată și temperatură scăzută.
(3) Are o stabilitate chimică bună pentru a evita eșecul acoperirii la temperaturi ridicate și atmosferă corozivă.
SiC are avantajele rezistenței la coroziune, conductivității termice ridicate, rezistenței la șocuri termice și stabilității chimice ridicate și poate funcționa bine în atmosfera epitaxială GaN.În plus, coeficientul de dilatare termică al SiC diferă foarte puțin de cel al grafitului, astfel încât SiC este materialul preferat pentru acoperirea suprafeței bazei de grafit.
În prezent, SiC comun este în principal de tip 3C, 4H și 6H, iar utilizările SiC ale diferitelor tipuri de cristale sunt diferite.De exemplu, 4H-SiC poate fabrica dispozitive de mare putere;6H-SiC este cel mai stabil și poate fabrica dispozitive fotoelectrice;Datorită structurii sale similare cu GaN, 3C-SiC poate fi utilizat pentru a produce stratul epitaxial GaN și pentru a produce dispozitive RF SiC-GaN.3C-SiC este, de asemenea, cunoscut sub numele deβ-SiC, și o utilizare importantă aβ-SiC este ca film și material de acoperire, deciβ-SiC este în prezent principalul material pentru acoperire.
Ora postării: 06-nov-2023