În prezent, metodele de preparare aAcoperire SiCinclud în principal metoda gel-sol, metoda de încorporare, metoda de acoperire cu pensula, metoda de pulverizare cu plasmă, metoda de reacție chimică cu gaz (CVR) și metoda de depunere chimică în vapori (CVD).
Metoda de încorporare:
Metoda este un fel de sinterizare în fază solidă la temperatură înaltă, care utilizează în principal amestecul de pulbere de Si și pulbere C ca pulbere de încorporare, matricea de grafit este plasată în pulberea de încorporare, iar sinterizarea la temperatură înaltă este efectuată în gaz inert. , și în cele din urmăAcoperire SiCse obţine pe suprafaţa matricei de grafit.Procesul este simplu și combinația dintre acoperire și substrat este bună, dar uniformitatea acoperirii de-a lungul direcției grosimii este slabă, ceea ce este ușor de a produce mai multe găuri și de a duce la o rezistență slabă la oxidare.
Metoda de acoperire cu pensula:
Metoda de acoperire cu perie este în principal de a peria materia primă lichidă pe suprafața matricei de grafit și apoi de a întări materia primă la o anumită temperatură pentru a pregăti acoperirea.Procesul este simplu și costul este scăzut, dar acoperirea pregătită prin metoda de acoperire cu pensula este slabă în combinație cu substratul, uniformitatea acoperirii este slabă, acoperirea este subțire și rezistența la oxidare este scăzută și sunt necesare alte metode pentru a ajuta. aceasta.
Metoda de pulverizare cu plasma:
Metoda de pulverizare cu plasmă este, în principal, de a pulveriza materii prime topite sau semitopite pe suprafața matricei de grafit cu un pistol cu plasmă, apoi se solidifică și se lipește pentru a forma o acoperire.Metoda este simplu de utilizat și poate pregăti un strat de carbură de siliciu relativ dens, dar stratul de carbură de siliciu preparat prin metodă este adesea prea slab și duce la o rezistență slabă la oxidare, așa că este, în general, utilizat pentru prepararea acoperirii compozite SiC pentru a îmbunătăți calitatea acoperirii.
Metoda gel-sol:
Metoda gel-sol este, în principal, de a prepara o soluție de sol uniformă și transparentă care acoperă suprafața matricei, uscarea într-un gel și apoi sinterizarea pentru a obține o acoperire.Această metodă este ușor de utilizat și cu costuri reduse, dar stratul produs are unele deficiențe, cum ar fi rezistența scăzută la șocuri termice și crăparea ușoară, deci nu poate fi utilizată pe scară largă.
Reacție chimică cu gaze (CVR):
CVR generează în principalAcoperire SiCprin utilizarea pulberii de Si și SiO2 pentru a genera abur de SiO la temperatură ridicată și o serie de reacții chimice au loc pe suprafața substratului materialului C.TheAcoperire SiCpreparat prin această metodă este strâns legat de substrat, dar temperatura de reacție este mai mare și costul este mai mare.
Depunerea chimică în vapori (CVD):
În prezent, CVD este principala tehnologie de pregătireAcoperire SiCpe suprafața substratului.Procesul principal este o serie de reacții fizice și chimice ale materialului reactant în fază gazoasă pe suprafața substratului și, în final, acoperirea cu SiC este pregătită prin depunere pe suprafața substratului.Acoperirea SiC preparată prin tehnologia CVD este strâns legată de suprafața substratului, ceea ce poate îmbunătăți în mod eficient rezistența la oxidare și rezistența ablativă a materialului substratului, dar timpul de depunere al acestei metode este mai lung, iar gazul de reacție are un anumit toxic. gaz.
Ora postării: 06-nov-2023