Proiectat pentru aplicații de epitaxie în fază lichidă (LPE), Reactorul de menisc LPE de la Semicera are un design inovator care permite eficiențăAcoperiri CVD SiCși suportă o varietate de procese de epitaxie, inclusiv epitaxia ASM șiMOCVD. Construcția robustă și ingineria de precizie a reactorului de menisc LPE asigură un management termic eficient și o depunere uniformă.
Semicera se angajează să ofere soluții de înaltă performanță industriei semiconductoarelor. NoastreReactor de menisc LPEeste fabricat cu materiale durabile și inginerie de precizie pentru a asigura fiabilitatea și longevitatea. Caracteristicile unice ale acestei camere permit un management termic excelent și depunerea uniformă, făcându-l un avantaj excelent pentru orice laborator sau mediu de producție.


Alegeți reactorul de menisc LPE de la Semicera pentru a vă îmbunătăți epitaxialeProcesul MOCVDși obțineți rezultate excelente în depunerea filmului subțire. Devotamentul nostru pentru calitate și inovație vă asigură că primiți un produs care îndeplinește cele mai înalte standarde din industrie.






-
Depunere epitaxială de acoperire CVD SiC în epitaxie...
-
Sistem de reactor de epitaxie încălzit inductiv
-
Siliciu monocristalin acoperit cu semiconductor SiC...
-
Reactor epitaxial cu semiconductor acoperit cu SiC pentru...
-
Structura de butoi de acoperire SiC pentru susceptor de butoi
-
LED-uri rezistente la temperaturi ridicate și la coroziune...