Semicera introduce semiconductori de înaltă calitatepalete cantilever din carbură de siliciu, conceput pentru a satisface cerințele stricte ale producției moderne de semiconductori.
Thepaletă din carbură de siliciuprezintă un design avansat care minimizează dilatarea termică și deformarea, făcându-l foarte fiabil în condiții extreme. Construcția sa robustă oferă o durabilitate sporită, reducând riscul de rupere sau uzură, ceea ce este esențial pentru menținerea randamentelor ridicate și a calității constante a producției. Thebarcă de napolitanăDe asemenea, designul se integrează perfect cu echipamentele standard de procesare a semiconductoarelor, asigurând compatibilitatea și ușurința în utilizare.
Una dintre caracteristicile remarcabile ale SemicereiVâslă SiCeste rezistența sa chimică, care îi permite să funcționeze excepțional de bine în medii expuse la gaze și substanțe chimice corozive. Concentrarea Semicera pe personalizare permite soluții personalizate.
| Proprietățile fizice ale carburii de siliciu recristalizate | |
| Proprietate | Valoare tipică |
| Temperatura de lucru (°C) | 1600°C (cu oxigen), 1700°C (mediu de reducere) |
| continut SiC | > 99,96% |
| Conținut gratuit Si | < 0,1% |
| Densitate în vrac | 2,60-2,70 g/cm3 |
| Porozitate aparentă | < 16% |
| Rezistența la compresiune | > 600 MPa |
| Rezistența la îndoire la rece | 80-90 MPa (20°C) |
| Rezistența la îndoire la cald | 90-100 MPa (1400°C) |
| Expansiune termică la 1500°C | 4,70 10-6/°C |
| Conductivitate termică @1200°C | 23 W/m•K |
| Modulul elastic | 240 GPa |
| Rezistenta la socuri termice | Extrem de bine |
-
Garnitură de etanșare mecanică din ceramică cu carbură de siliciu...
-
Cap de duș CVD cu acoperire SiC
-
Acoperire SiC Sistem Epi de butoi încălzit inductiv
-
Braț robotic din ceramică din zirconiu personalizabil
-
Ceramica cu nitrură de siliciu semiconductoare
-
Încălzitoare acoperite cu carbură de siliciu SiC