Semicera oferă acoperiri specializate de carbură de tantal (TaC) pentru diferite componente și suporturi.Procesul de acoperire Semicera Semicera permite acoperirilor cu carbură de tantal (TaC) să atingă puritate ridicată, stabilitate la temperatură ridicată și toleranță chimică ridicată, îmbunătățind calitatea produsului cristalelor SIC/GAN și a straturilor EPI (Susceptor TaC acoperit cu grafit) și prelungirea duratei de viață a componentelor cheie ale reactorului. Utilizarea acoperirii cu carbură de tantal TaC este de a rezolva problema marginii și de a îmbunătăți calitatea creșterii cristalelor, iar Semicera a rezolvat tehnologia de acoperire cu carbură de tantal (CVD), atingând un nivel internațional avansat.
După ani de dezvoltare, Semicera a cucerit tehnologia deCVD TaCcu eforturile comune ale departamentului R&D. Defecte sunt ușor să apară în procesul de creștere a napolitanelor de SiC, dar după utilizareTaC, diferenta este semnificativa. Mai jos este o comparație a napolitanelor cu și fără TaC, precum și a pieselor Semicera pentru creșterea unui singur cristal
cu și fără TaC
După utilizarea TaC (dreapta)
În plus, durata de viață a produselor de acoperire cu TaC de la Semicera este mai lungă și mai rezistentă la temperaturi ridicate decât cea a acoperirii cu SiC. După o lungă perioadă de timp de date de măsurare de laborator, TaC-ul nostru poate funcționa mult timp la maximum 2300 de grade Celsius. Următoarele sunt câteva dintre mostrele noastre:
(a) Diagrama schematică a dispozitivului de creștere a lingoului monocristal de SiC prin metoda PVT (b) Suport superior pentru semințe acoperit cu TaC (inclusiv sămânța de SiC) (c) Inel de ghidare din grafit acoperit cu TAC
