Paletă cu carbură de siliciu de înaltă puritate

Scurtă descriere:

Paleta de carbură de siliciu de înaltă puritate Semicera este proiectată pentru aplicații avansate de semiconductori, oferind stabilitate termică și rezistență mecanică superioare. Această paletă SiC asigură o manevrare precisă a plachetelor, făcându-l o alegere ideală pentru mediile cu temperaturi ridicate. Contactați-ne pentru întrebări!


Detaliu produs

Etichete de produs

Semicera de înaltă puritatePaletă din carbură de siliciueste meticulos conceput pentru a satisface cerințele stricte ale proceselor moderne de fabricare a semiconductorilor. AcestVâslă cantilever SiCexcelează în medii cu temperaturi ridicate, oferind stabilitate termică și durabilitate mecanică de neegalat. Structura Cantilever SiC este construită pentru a rezista la condiții extreme, asigurând o manipulare fiabilă a plachetelor pe parcursul diferitelor procese.

Una dintre inovațiile cheie aleVâslă SiCeste designul său ușor, dar robust, care permite integrarea ușoară în sistemele existente. Conductivitatea sa termică ridicată ajută la menținerea stabilității plachetelor în timpul fazelor critice, cum ar fi gravarea și depunerea, minimizând riscul de deteriorare a plachetelor și asigurând randamente mai mari de producție. Utilizarea carburii de siliciu de înaltă densitate în construcția paletei îi sporește rezistența la uzură, oferind o durată de viață extinsă și reducând nevoia de înlocuiri frecvente.

Semicera pune un accent puternic pe inovare, oferind aVâslă cantilever SiCcare nu numai că îndeplinește, dar și depășește standardele din industrie. Această paletă este optimizată pentru utilizare în diverse aplicații de semiconductor, de la depunere la gravare, unde precizia și fiabilitatea sunt cruciale. Prin integrarea acestei tehnologii de ultimă oră, producătorii se pot aștepta la o eficiență îmbunătățită, costuri de întreținere reduse și calitate constantă a produsului.

Proprietățile fizice ale carburii de siliciu recristalizate

Proprietate

Valoare tipică

Temperatura de lucru (°C)

1600°C (cu oxigen), 1700°C (mediu de reducere)

continut SiC

> 99,96%

Conținut gratuit Si

< 0,1%

Densitate în vrac

2,60-2,70 g/cm3

Porozitate aparentă

< 16%

Rezistența la compresiune

> 600 MPa

Rezistența la îndoire la rece

80-90 MPa (20°C)

Rezistența la îndoire la cald

90-100 MPa (1400°C)

Expansiune termică la 1500°C

4,70 10-6/°C

Conductivitate termică @1200°C

23 W/m•K

Modulul elastic

240 GPa

Rezistenta la socuri termice

Extrem de bine

0f75f96b9a8d9016a504c0c47e59375
Semicera Locul de munca
Locul de muncă semicer 2
Mașină de echipare
Procesare CNN, curățare chimică, acoperire CVD
Depozitul Semicera
Serviciul nostru

  • Anterior:
  • Următorul: