Materie primă CVD de înaltă puritate, carbură de siliciu

Materie primă CVD de înaltă puritate din carbură de siliciu Imagine prezentată

Scurtă descriere:

Materia primă de carbură de siliciu CVD de înaltă puritate Semicera este un material semiconductor cu performanțe excelente. Este preparat prin depunere chimică de vapori (CVD) și are caracteristici excelente, cum ar fi puritate ridicată, grad ridicat de turnare și densitate scăzută a defectelor. Este un material de bază ideal pentru fabricarea dispozitivelor cu carbură de siliciu de înaltă performanță.

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliu produs

Etichete de produs

Materia primă CVD SiC de înaltă puritate de la Semicera este un material avansat conceput pentru utilizare în aplicații de înaltă performanță care necesită stabilitate termică, duritate și proprietăți electrice excepționale. Fabricat din carbură de siliciu prin depunere chimică de vapori (CVD) de înaltă calitate, această materie primă oferă puritate și consistență superioară, făcând-o ideală pentru fabricarea semiconductoarelor, acoperiri la temperatură înaltă și alte aplicații industriale de precizie.

Materia primă CVD SiC de înaltă puritate de la Semicera este cunoscută pentru rezistența sa excelentă la uzură, oxidare și șoc termic, asigurând performanțe fiabile chiar și în cele mai solicitante medii. Indiferent dacă este utilizat în producția de dispozitive semiconductoare, instrumente abrazive sau acoperiri avansate, acest material oferă o bază solidă pentru aplicații de înaltă performanță care necesită cele mai înalte standarde de puritate și precizie.

Cu materiile prime CVD SiC de înaltă puritate de la Semicera, producătorii pot obține o calitate superioară a produsului și eficiență operațională. Acest material susține o gamă largă de industrii, de la electronică la energie, oferind durabilitate și performanță fără egal.

Materiile prime de carbură de siliciu CVD de înaltă puritate Semicera au următoarele caracteristici:

▪Puritate ridicată:conținut extrem de scăzut de impurități, asigurând fiabilitatea dispozitivului.

▪Cristalinitate ridicată:structură de cristal perfectă, care este favorabilă îmbunătățirii performanței dispozitivului.

▪Densitate scăzută a defectelor:număr mic de defecte, reducând curentul de scurgere al dispozitivului.

▪Dimensiune mare:Pot fi furnizate substraturi de carbură de siliciu de dimensiuni mari pentru a satisface nevoile diferiților clienți.

▪Serviciu personalizat:diferite tipuri și specificații ale materialelor din carbură de siliciu pot fi personalizate în funcție de nevoile clienților.

u_107204252_192496881&fm_30&app_106&f_JPEG

Avantajele produsului

▪ Bandgap largă:Carbura de siliciu are o caracteristică de bandgap largă, ceea ce îi permite să aibă performanțe excelente în medii dure, cum ar fi temperaturi ridicate, presiune ridicată și frecvență înaltă.

▪Tensiune mare de avarie:Dispozitivele cu carbură de siliciu au o tensiune de avarie mai mare și pot produce dispozitive de putere mai mare.

▪Conductivitate termică ridicată:Carbura de siliciu are o conductivitate termică excelentă, ceea ce favorizează disiparea căldurii dispozitivului.

▪Mobilitate mare a electronilor:Dispozitivele cu carbură de siliciu au o mobilitate mai mare a electronilor, ceea ce poate crește frecvența de funcționare a dispozitivului.