Semicera oferă acoperiri specializate de carbură de tantal (TaC) pentru diferite componente și suporturi.Procesul de acoperire lider Semicera permite acoperirilor cu carbură de tantal (TaC) să atingă puritate ridicată, stabilitate la temperatură ridicată și toleranță chimică ridicată, îmbunătățind calitatea produsului cristalelor SIC/GAN și a straturilor EPI (Susceptor TaC acoperit cu grafit) și prelungirea duratei de viață a componentelor cheie ale reactorului. Utilizarea acoperirii cu carbură de tantal TaC este de a rezolva problema marginii și de a îmbunătăți calitatea creșterii cristalelor, iar Semicera a rezolvat tehnologia de acoperire cu carbură de tantal (CVD), atingând un nivel internațional avansat.
Odată cu apariția plachetelor cu carbură de siliciu (SiC) de 8 inchi, cerințele pentru diferite procese semiconductoare au devenit din ce în ce mai stricte, în special pentru procesele de epitaxie, unde temperaturile pot depăși 2000 de grade Celsius. Materialele susceptoare tradiționale, cum ar fi grafitul acoperit cu carbură de siliciu, tind să se sublimeze la aceste temperaturi ridicate, perturbând procesul de epitaxie. Cu toate acestea, carbura de tantal CVD (TaC) abordează eficient această problemă, rezistând la temperaturi de până la 2300 de grade Celsius și oferind o durată de viață mai lungă. Contactați Semicera's Semilună superioară acoperită cu carbură de tantal CVDpentru a explora mai multe despre soluțiile noastre avansate.
După ani de dezvoltare, Semicera a cucerit tehnologia deCVD TaCcu eforturile comune ale departamentului R&D. Defecte sunt ușor să apară în procesul de creștere a napolitanelor de SiC, dar după utilizareTaC, diferenta este semnificativa. Mai jos este o comparație a napolitanelor cu și fără TaC, precum și a pieselor Simicera pentru creșterea unui singur cristal.
cu și fără TaC
După utilizarea TaC (dreapta)
Mai mult, a lui SemiceraProduse acoperite cu TaCprezintă o durată de viață mai lungă și o rezistență mai mare la temperatură înaltă în comparație cuAcoperiri SiC.Măsurătorile de laborator au demonstrat că noastreAcoperiri TaCpoate funcționa constant la temperaturi de până la 2300 de grade Celsius pentru perioade lungi. Mai jos sunt câteva exemple din mostrele noastre:
Susceptor acoperit cu TaC
Grafit cu reactor acoperit cu TaC
