Wafer HPSI SiC semiizolant de 6 inch

Scurtă descriere:

Napolitanele HPSI SiC semiizolante de 6 inchi de la Semicera sunt proiectate pentru eficiență și fiabilitate maxime în electronice de înaltă performanță. Aceste napolitane au proprietăți termice și electrice excelente, făcându-le ideale pentru o varietate de aplicații, inclusiv dispozitive de alimentare și electronice de înaltă frecvență. Alegeți Semicera pentru calitate superioară și inovație.


Detaliu produs

Etichete de produs

Napolitanele HPSI SiC de 6 inchi de la Semicera sunt proiectate pentru a satisface cerințele riguroase ale tehnologiei moderne de semiconductori. Cu o puritate și o consistență excepționale, aceste napolitane servesc drept bază de încredere pentru dezvoltarea componentelor electronice de înaltă eficiență.

Aceste plachete HPSI SiC sunt cunoscute pentru conductivitatea termică și izolația electrică remarcabilă, care sunt esențiale pentru optimizarea performanței dispozitivelor de alimentare și a circuitelor de înaltă frecvență. Proprietățile semiizolante ajută la minimizarea interferențelor electrice și la maximizarea eficienței dispozitivului.

Procesul de fabricație de înaltă calitate folosit de Semicera asigură că fiecare napolitană are o grosime uniformă și defecte de suprafață minime. Această precizie este esențială pentru aplicațiile avansate, cum ar fi dispozitivele cu frecvență radio, invertoarele de putere și sistemele LED, unde performanța și durabilitatea sunt factori cheie.

Prin folosirea tehnicilor de producție de ultimă generație, Semicera oferă napolitane care nu numai că îndeplinesc, ci și depășesc standardele din industrie. Dimensiunea de 6 inchi oferă flexibilitate în extinderea producției, găzduind atât cercetarea, cât și aplicațiile comerciale din sectorul semiconductorilor.

Alegerea napolitanelor HPSI SiC semiizolante de 6 inchi de la Semicera înseamnă a investi într-un produs care oferă calitate și performanță consecvente. Aceste napolitane fac parte din angajamentul Semicera de a avansa capabilitățile tehnologiei semiconductoarelor prin materiale inovatoare și măiestrie meticuloasă.

Articole

Productie

Cercetare

Manichin

Parametrii cristalului

Politip

4H

Eroare de orientare la suprafață

<11-20 >4±0,15°

Parametrii electrici

Dopant

azot de tip n

Rezistivitate

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri mecanici

Diametru

150,0±0,2mm

Grosime

350±25 μm

Orientare plată primară

[1-100]±5°

Lungime plată primară

47,5±1,5mm

Apartament secundar

Nici unul

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urzeală

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugozitate frontală (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Structura

Densitatea microconductelor

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurități metalice

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calitate față

Faţă

Si

Finisaj de suprafață

Si-face CMP

Particule

≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm)

NA

Zgârieturi

≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru

Lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare

Nici unul

NA

Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale

Nici unul

Zone politip

Nici unul

Suprafata cumulata≤20%

Suprafata cumulata≤30%

Marcaj frontal cu laser

Nici unul

Calitate din spate

Finisaj spate

C-face CMP

Zgârieturi

≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Defecte din spate (așchii de margini/indentări)

Nici unul

Rugozitatea spatelui

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcare cu laser pe spate

1 mm (de la marginea de sus)

Margine

Margine

Teşitură

Ambalare

Ambalare

Epi-gata cu ambalare în vid

Ambalare casete multi-plachete

*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD.

tech_1_2_size
Napolitane SiC

  • Anterior:
  • Următorul: