Wafer-ul SiC de tip N de 6 inchi de la Semicera se află în fruntea tehnologiei semiconductoare. Realizată pentru performanțe optime, această napolitană excelează în aplicații de mare putere, frecvență înaltă și temperatură ridicată, esențiale pentru dispozitivele electronice avansate.
Placa noastră SiC de tip N de 6 inci are o mobilitate ridicată a electronilor și o rezistență scăzută la pornire, care sunt parametri critici pentru dispozitivele de putere, cum ar fi MOSFET-urile, diodele și alte componente. Aceste proprietăți asigură o conversie eficientă a energiei și o generare redusă de căldură, sporind performanța și durata de viață a sistemelor electronice.
Procesele riguroase de control al calității Semicera asigură că fiecare napolitană SiC menține o planeitate excelentă a suprafeței și defecte minime. Această atenție meticuloasă la detalii asigură că napolitanele noastre îndeplinesc cerințele stricte ale industriilor precum cea auto, aerospațială și telecomunicații.
Pe lângă proprietățile sale electrice superioare, napolitana SiC de tip N oferă stabilitate termică robustă și rezistență la temperaturi ridicate, făcându-l ideal pentru mediile în care materialele convenționale ar putea defecta. Această capacitate este deosebit de valoroasă în aplicațiile care implică operațiuni de înaltă frecvență și putere mare.
Alegând napolitana SiC de tip N de 6 inchi de la Semicera, investiți într-un produs care reprezintă vârful inovației semiconductoare. Ne angajăm să oferim elementele de bază pentru dispozitivele de ultimă generație, asigurându-ne că partenerii noștri din diverse industrii au acces la cele mai bune materiale pentru progresele lor tehnologice.
Articole | Productie | Cercetare | Manichin |
Parametrii cristalului | |||
Politip | 4H | ||
Eroare de orientare la suprafață | <11-20 >4±0,15° | ||
Parametrii electrici | |||
Dopant | azot de tip n | ||
Rezistivitate | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Parametri mecanici | |||
Diametru | 150,0±0,2mm | ||
Grosime | 350±25 μm | ||
Orientare plată primară | [1-100]±5° | ||
Lungime plată primară | 47,5±1,5mm | ||
Apartament secundar | Nici unul | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Urzeală | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugozitate frontală (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Structura | |||
Densitatea microconductelor | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
Impurități metalice | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Calitate față | |||
Faţă | Si | ||
Finisaj de suprafață | Si-face CMP | ||
Particule | ≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm) | NA | |
Zgârieturi | ≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru | Lungime cumulativă≤2*Diametru | NA |
Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare | Nici unul | NA | |
Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale | Nici unul | ||
Zone politip | Nici unul | Suprafata cumulata≤20% | Suprafata cumulata≤30% |
Marcaj frontal cu laser | Nici unul | ||
Calitate din spate | |||
Finisaj spate | C-face CMP | ||
Zgârieturi | ≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru | NA | |
Defecte din spate (așchii de margini/indentări) | Nici unul | ||
Rugozitatea spatelui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcare cu laser pe spate | 1 mm (de la marginea de sus) | ||
Margine | |||
Margine | Teşit | ||
Ambalare | |||
Ambalare | Epi-gata cu ambalare în vid Ambalare casete multi-plachete | ||
*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD. |