Placa de legătură LiNbO3 de 6 inchi de la Semicera este proiectată pentru a îndeplini standardele riguroase ale industriei semiconductoarelor, oferind performanțe de neegalat atât în mediul de cercetare, cât și în cel de producție. Fie pentru optoelectronică de ultimă generație, MEMS sau ambalaje avansate de semiconductori, această placă de lipire oferă fiabilitatea și durabilitatea necesare dezvoltării tehnologiei de ultimă oră.
În industria semiconductoarelor, placa de legătură LiNbO3 de 6 inci este utilizată pe scară largă pentru lipirea straturilor subțiri în dispozitive optoelectronice, senzori și sisteme microelectromecanice (MEMS). Proprietățile sale excepționale îl fac o componentă valoroasă pentru aplicațiile care necesită o integrare precisă a stratului, cum ar fi fabricarea de circuite integrate (CI) și dispozitive fotonice. Puritatea ridicată a plachetei asigură că produsul final menține performanța optimă, minimizând riscul de contaminare care ar putea afecta fiabilitatea dispozitivului.
| Proprietățile termice și electrice ale LiNbO3 | |
| Punct de topire | 1250 ℃ |
| Temperatura Curie | 1140 ℃ |
| Conductivitate termică | 38 W/m/K @ 25 ℃ |
| Coeficientul de dilatare termică (@ 25°C) | //a，2.0×10-6/K //c，2,2×10-6/K |
| Rezistivitate | 2×10-6Ω·cm @ 200 ℃ |
| Constanta dielectrica | εS11/ε0=43，εT11/ε0=78 εS33/ε0=28，εT33/ε0=2 |
| Constanta piezoelectrica | D22=2,04×10-11C/N D33=19,22×10-11C/N |
| Coeficientul electro-optic | yT33=32 pm/V， γS33= 31 pm/V， yT31=10 pm/V， γS31=20,6 p.m./V, yT22=6,8 pm/V， γS22= 3,4 pm/V， |
| Tensiune semi-undă, DC | 3,03 KV 4,02 KV |
Wafer-ul LiNbO3 de 6 inchi de la Semicera este proiectat special pentru aplicații avansate în industria semiconductoarelor și optoelectronică. Cunoscută pentru rezistența superioară la uzură, stabilitatea termică ridicată și puritatea excepțională, această placă de lipire este ideală pentru fabricarea semiconductoarelor de înaltă performanță, oferind fiabilitate și precizie de lungă durată chiar și în condiții solicitante.
Fabricat cu tehnologie de ultimă oră, placa de lipire LiNbO3 de 6 inci asigură o contaminare minimă, care este crucială pentru procesele de producție de semiconductori care necesită niveluri ridicate de puritate. Stabilitatea sa termică excelentă îi permite să reziste la temperaturi ridicate fără a compromite integritatea structurală, făcându-l o alegere fiabilă pentru aplicațiile de lipire la temperatură înaltă. În plus, rezistența remarcabilă la uzură a plachetei asigură că funcționează constant pe o utilizare prelungită, oferind durabilitate pe termen lung și reducând nevoia de înlocuiri frecvente.
