Lingourile de SiC semiizolante de 4”6” de înaltă puritate de la Semicera sunt proiectate pentru a îndeplini standardele exigente ale industriei semiconductoarelor. Aceste lingouri sunt produse cu accent pe puritate și consistență, făcându-le o alegere ideală pentru aplicații de mare putere și de înaltă frecvență, unde performanța este primordială.
Proprietățile unice ale acestor lingouri de SiC, inclusiv conductivitate termică ridicată și rezistivitate electrică excelentă, le fac deosebit de potrivite pentru utilizarea în electronica de putere și dispozitivele cu microunde. Natura lor semiizolantă permite o disipare eficientă a căldurii și interferențe electrice minime, ceea ce duce la componente mai eficiente și mai fiabile.
Semicera folosește procese de producție de ultimă generație pentru a produce lingouri cu o calitate și uniformitate excepționale a cristalului. Această precizie asigură că fiecare lingot poate fi utilizat în mod fiabil în aplicații sensibile, cum ar fi amplificatoare de înaltă frecvență, diode laser și alte dispozitive optoelectronice.
Disponibil în ambele dimensiuni de 4 inci și 6 inci, lingourile de SiC de la Semicera oferă flexibilitatea necesară pentru diferite scări de producție și cerințe tehnologice. Fie pentru cercetare și dezvoltare sau producție de masă, aceste lingouri oferă performanța și durabilitatea pe care le cer sistemele electronice moderne.
Alegând lingourile de SiC semiizolante de înaltă puritate de la Semicera, investiți într-un produs care combină știința avansată a materialelor cu o experiență de producție de neegalat. Semicera este dedicată susținerii inovației și creșterii industriei semiconductoarelor, oferind materiale care permit dezvoltarea dispozitivelor electronice de ultimă generație.
| Articole | Productie | Cercetare | Manichin |
| Parametrii cristalului | |||
| Politip | 4H | ||
| Eroare de orientare la suprafață | <11-20 >4±0,15° | ||
| Parametrii electrici | |||
| Dopant | azot de tip n | ||
| Rezistivitate | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Parametri mecanici | |||
| Diametru | 150,0±0,2mm | ||
| Grosime | 350±25 μm | ||
| Orientare plată primară | [1-100]±5° | ||
| Lungime plată primară | 47,5±1,5mm | ||
| Apartament secundar | Nici unul | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| Arc | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Urzeală | ≤35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugozitate frontală (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Structura | |||
| Densitatea microconductelor | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| Impurități metalice | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Calitate față | |||
| Faţă | Si | ||
| Finisaj de suprafață | Si-face CMP | ||
| Particule | ≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm) | NA | |
| Zgârieturi | ≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru | Lungime cumulativă≤2*Diametru | NA |
| Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare | Nici unul | NA | |
| Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale | Nici unul | ||
| Zone politip | Nici unul | Suprafata cumulata≤20% | Suprafata cumulata≤30% |
| Marcaj frontal cu laser | Nici unul | ||
| Calitate din spate | |||
| Finisaj spate | C-face CMP | ||
| Zgârieturi | ≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru | NA | |
| Defecte din spate (așchii de margini/indentări) | Nici unul | ||
| Rugozitatea spatelui | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcare cu laser pe spate | 1 mm (de la marginea de sus) | ||
| Margine | |||
| Margine | Teşitură | ||
| Ambalare | |||
| Ambalare | Epi-gata cu ambalare în vid Ambalare casete multi-plachete | ||
| *Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD. | |||
