Lingot SiC semiizolant de 4″ 6″ de înaltă puritate

Scurtă descriere:

Lingourile de SiC semiizolante de 4”6” de înaltă puritate de la Semicera sunt realizate meticulos pentru aplicații electronice și optoelectronice avansate. Având o conductivitate termică și rezistivitate electrică superioare, aceste lingouri oferă o bază solidă pentru dispozitive de înaltă performanță. Semicera asigură calitate constantă și fiabilitate în fiecare produs.


Detaliu produs

Etichete de produs

Lingourile de SiC semiizolante de 4”6” de înaltă puritate de la Semicera sunt proiectate pentru a îndeplini standardele exigente ale industriei semiconductoarelor. Aceste lingouri sunt produse cu accent pe puritate și consistență, făcându-le o alegere ideală pentru aplicații de mare putere și de înaltă frecvență, unde performanța este primordială.

Proprietățile unice ale acestor lingouri de SiC, inclusiv conductivitate termică ridicată și rezistivitate electrică excelentă, le fac deosebit de potrivite pentru utilizarea în electronica de putere și dispozitivele cu microunde. Natura lor semiizolantă permite o disipare eficientă a căldurii și interferențe electrice minime, ceea ce duce la componente mai eficiente și mai fiabile.

Semicera folosește procese de producție de ultimă generație pentru a produce lingouri cu o calitate și uniformitate excepționale a cristalului. Această precizie asigură că fiecare lingot poate fi utilizat în mod fiabil în aplicații sensibile, cum ar fi amplificatoare de înaltă frecvență, diode laser și alte dispozitive optoelectronice.

Disponibil în ambele dimensiuni de 4 inci și 6 inci, lingourile de SiC de la Semicera oferă flexibilitatea necesară pentru diferite scări de producție și cerințe tehnologice. Fie pentru cercetare și dezvoltare sau producție de masă, aceste lingouri oferă performanța și durabilitatea pe care le cer sistemele electronice moderne.

Alegând lingourile de SiC semiizolante de înaltă puritate de la Semicera, investiți într-un produs care combină știința avansată a materialelor cu o experiență de producție de neegalat. Semicera este dedicată susținerii inovației și creșterii industriei semiconductoarelor, oferind materiale care permit dezvoltarea dispozitivelor electronice de ultimă generație.

Articole

Productie

Cercetare

Manichin

Parametrii cristalului

Politip

4H

Eroare de orientare la suprafață

<11-20 >4±0,15°

Parametrii electrici

Dopant

azot de tip n

Rezistivitate

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri mecanici

Diametru

150,0±0,2mm

Grosime

350±25 μm

Orientare plată primară

[1-100]±5°

Lungime plată primară

47,5±1,5mm

Apartament secundar

Nici unul

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urzeală

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugozitate frontală (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Structura

Densitatea microconductelor

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurități metalice

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calitate față

Faţă

Si

Finisaj de suprafață

Si-face CMP

Particule

≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm)

NA

Zgârieturi

≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru

Lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare

Nici unul

NA

Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale

Nici unul

Zone politip

Nici unul

Suprafata cumulata≤20%

Suprafata cumulata≤30%

Marcaj frontal cu laser

Nici unul

Calitate din spate

Finisaj spate

C-face CMP

Zgârieturi

≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Defecte din spate (așchii de margini/indentări)

Nici unul

Rugozitatea spatelui

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcare cu laser pe spate

1 mm (de la marginea de sus)

Margine

Margine

Teşit

Ambalare

Ambalare

Epi-gata cu ambalare în vid

Ambalare casete multi-plachete

*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD.

tech_1_2_size
Napolitane SiC

  • Anterior:
  • Următorul: