Lingot SiC de tip N de 4″6″ 8″

Scurtă descriere:

Lingourile SiC de tip N de 4", 6" și 8" de la Semicera sunt piatra de temelie pentru dispozitivele semiconductoare de mare putere și de înaltă frecvență. Oferind proprietăți electrice superioare și conductivitate termică, aceste lingouri sunt create pentru a sprijini producția de componente electronice fiabile și eficiente. Aveți încredere în Semicera pentru o calitate și performanță de neegalat.


Detaliu produs

Etichete de produs

Lingourile SiC de tip N de 4", 6" și 8" de la Semicera reprezintă o descoperire în materie de materiale semiconductoare, concepute pentru a satisface cerințele tot mai mari ale sistemelor electronice și de putere moderne. Aceste lingouri oferă o bază robustă și stabilă pentru diverse aplicații de semiconductori, asigurând un nivel optim. performanță și longevitate.

Lingourile noastre de SiC de tip N sunt produse folosind procese avansate de fabricație care le îmbunătățesc conductivitatea electrică și stabilitatea termică. Acest lucru le face ideale pentru aplicații de mare putere și de înaltă frecvență, cum ar fi invertoarele, tranzistoarele și alte dispozitive electronice de putere, unde eficiența și fiabilitatea sunt primordiale.

Dopajul precis al acestor lingouri asigură că oferă performanțe consistente și repetabile. Această consecvență este esențială pentru dezvoltatorii și producătorii care depășesc limitele tehnologiei în domenii precum aerospațial, auto și telecomunicații. Lingourile de SiC de la Semicera permit producerea de dispozitive care funcționează eficient în condiții extreme.

Alegerea lingourilor de SiC de tip N Semicera înseamnă integrarea materialelor care pot face față cu ușurință la temperaturi ridicate și sarcini electrice mari. Aceste lingouri sunt potrivite în special pentru crearea de componente care necesită un management termic excelent și funcționare de înaltă frecvență, cum ar fi amplificatoare RF și module de putere.

Optând pentru lingourile SiC de tip N de 4", 6" și 8" de la Semicera, investiți într-un produs care combină proprietățile materiale excepționale cu precizia și fiabilitatea cerute de tehnologiile de ultimă oră a semiconductoarelor. Semicera continuă să conducă industria prin oferind soluții inovatoare care conduc la progresul producției de dispozitive electronice.

Articole

Productie

Cercetare

Manichin

Parametrii cristalului

Politip

4H

Eroare de orientare la suprafață

<11-20 >4±0,15°

Parametrii electrici

Dopant

azot de tip n

Rezistivitate

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri mecanici

Diametru

150,0±0,2mm

Grosime

350±25 μm

Orientare plată primară

[1-100]±5°

Lungime plată primară

47,5±1,5mm

Apartament secundar

Nici unul

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arc

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Urzeală

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugozitate frontală (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Structura

Densitatea microconductelor

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Impurități metalice

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Calitate față

Faţă

Si

Finisaj de suprafață

Si-face CMP

Particule

≤60ea/napolitana (dimensiune≥0,3μm)

NA

Zgârieturi

≤5ea/mm. Lungime cumulativă ≤Diametru

Lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Coaja de portocală/sâmburi/pete/striații/crăpături/contaminare

Nici unul

NA

Așchii de margine/indentări/fractură/plăci hexagonale

Nici unul

Zone politip

Nici unul

Suprafata cumulata≤20%

Suprafata cumulata≤30%

Marcaj frontal cu laser

Nici unul

Calitate din spate

Finisaj spate

C-face CMP

Zgârieturi

≤5ea/mm, lungime cumulativă≤2*Diametru

NA

Defecte din spate (așchii de margini/indentări)

Nici unul

Rugozitatea spatelui

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcare cu laser pe spate

1 mm (de la marginea de sus)

Margine

Margine

Teşitură

Ambalare

Ambalare

Epi-gata cu ambalare în vid

Ambalare casete multi-plachete

*Note: „NA” înseamnă nicio solicitare. Articolele nemenționate se pot referi la SEMI-STD.

tech_1_2_size
Napolitane SiC

  • Anterior:
  • Următorul: