-
Puncte cheie ale controlului calității procesului de ambalare a semiconductorilor
Puncte cheie pentru controlul calității în procesul de ambalare a semiconductorilor În prezent, tehnologia de proces pentru ambalarea semiconductorilor s-a îmbunătățit și optimizat semnificativ. Cu toate acestea, dintr-o perspectivă de ansamblu, procesele și metodele de ambalare a semiconductorilor nu au atins încă cele mai perfecte...Citeşte mai mult -
Provocări în procesul de ambalare a semiconductorilor
Tehnicile actuale pentru ambalarea semiconductoarelor se îmbunătățesc treptat, dar măsura în care echipamentele și tehnologiile automatizate sunt adoptate în ambalarea semiconductoarelor determină în mod direct realizarea rezultatelor așteptate. Procesele existente de ambalare a semiconductoarelor încă suferă de...Citeşte mai mult -
Cercetarea și analiza procesului de ambalare a semiconductorilor
Prezentare generală a procesului de semiconductor Procesul de semiconductor implică în primul rând aplicarea tehnologiilor de microfabricare și film pentru a conecta complet cipurile și alte elemente în diferite regiuni, cum ar fi substraturi și cadre. Acest lucru facilitează extragerea terminalelor de plumb și încapsularea cu...Citeşte mai mult -
Noi tendințe în industria semiconductoarelor: aplicarea tehnologiei de acoperire de protecție
Industria semiconductoarelor se confruntă cu o creștere fără precedent, în special în domeniul electronicii de putere cu carbură de siliciu (SiC). Cu multe fabrici de napolitane la scară largă în curs de construcție sau extindere pentru a satisface cererea crescândă de dispozitive SiC în vehiculele electrice, acest...Citeşte mai mult -
Care sunt pașii principali în prelucrarea substraturilor SiC?
Modul în care producem etapele de procesare pentru substraturile de SiC sunt după cum urmează: 1. Orientarea cristalului: Folosind difracția cu raze X pentru a orienta lingoul de cristal. Când un fascicul de raze X este îndreptat către fața dorită a cristalului, unghiul fasciculului difractat determină orientarea cristalului...Citeşte mai mult -
Un material important care determină calitatea creșterii siliciului monocristal – câmpul termic
Procesul de creștere a siliciului monocristal se desfășoară complet în câmpul termic. Un câmp termic bun este favorabil îmbunătățirii calității cristalului și are o eficiență ridicată de cristalizare. Proiectarea câmpului termic determină în mare măsură schimbările și modificările...Citeşte mai mult -
Ce este creșterea epitaxială?
Creșterea epitaxială este o tehnologie care crește un singur strat de cristal pe un singur substrat de cristal (substrat) cu aceeași orientare a cristalului ca substratul, ca și cum cristalul original s-ar fi extins spre exterior. Acest strat monocristal nou crescut poate fi diferit de substrat în ceea ce privește...Citeşte mai mult -
Care este diferența dintre substrat și epitaxie?
În procesul de preparare a plachetelor, există două verigături de bază: una este pregătirea substratului, iar cealaltă este implementarea procesului epitaxial. Substratul, o napolitană realizată cu atenție din material monocristal semiconductor, poate fi introdus direct în producția de napolitane...Citeşte mai mult -
Dezvăluirea caracteristicilor versatile ale încălzitoarelor din grafit
Încălzitoarele din grafit au apărut ca instrumente indispensabile în diverse industrii datorită proprietăților și versatilității lor excepționale. De la laboratoare la setari industriale, aceste încălzitoare joacă un rol esențial în procese, de la sinteza materialelor la tehnici analitice. Printre diversele...Citeşte mai mult -
Explicație detaliată a avantajelor și dezavantajelor gravării uscate și gravării umede
În fabricarea semiconductorilor, există o tehnică numită „gravare” în timpul prelucrării unui substrat sau a unei pelicule subțiri formate pe substrat. Dezvoltarea tehnologiei de gravare a jucat un rol în realizarea predicției făcute de fondatorul Intel Gordon Moore în 1965 că „...Citeşte mai mult -
Dezvăluirea eficienței termice ridicate și a stabilității stelare a încălzitoarelor cu carbură de siliciu
Încălzitoarele cu carbură de siliciu (SiC) sunt în fruntea managementului termic în industria semiconductoarelor. Acest articol explorează eficiența termică excepțională și stabilitatea remarcabilă a încălzitoarelor SiC, aruncând lumină asupra rolului lor crucial în asigurarea performanței și fiabilității optime în semicon...Citeşte mai mult -
Explorarea caracteristicilor de înaltă rezistență și duritate ridicată ale bărcilor napolitane cu carbură de siliciu
Barcile cu napolitană cu carbură de siliciu (SiC) joacă un rol crucial în industria semiconductoarelor, facilitând producția de dispozitive electronice de înaltă calitate. Acest articol analizează caracteristicile remarcabile ale bărcilor cu napolitană SiC, concentrându-se pe rezistența și duritatea lor excepționale și evidențiază semnificația lor...Citeşte mai mult