-
Procesul de fabricație a semiconductorilor – Tehnologia Etch
Sunt necesare sute de procese pentru a transforma o plachetă într-un semiconductor. Unul dintre cele mai importante procese este gravarea - adică sculptarea modelelor de circuite fine pe napolitană. Succesul procesului de gravare depinde de gestionarea diferitelor variabile într-un interval de distribuție stabilit și fiecare gravare...Citeşte mai mult -
Material ideal pentru inelele de focalizare din echipamentele de gravare cu plasmă: carbură de siliciu (SiC)
În echipamentele de gravare cu plasmă, componentele ceramice joacă un rol crucial, inclusiv inelul de focalizare. Inelul de focalizare, plasat în jurul plachetei și în contact direct cu acesta, este esențial pentru focalizarea plasmei pe placă prin aplicarea tensiunii inelului. Acest lucru îmbunătățește un...Citeşte mai mult -
Front End of Line (FEOL): Punerea fundației
Partea din față a liniei de producție este ca și cum ați pune fundația și construiți pereții unei case. În fabricarea semiconductoarelor, această etapă implică crearea structurilor de bază și a tranzistorilor pe o placă de siliciu. Pașii cheie ai FEOL:...Citeşte mai mult -
Efectul prelucrării monocristalului cu carbură de siliciu asupra calității suprafeței plachetei
Dispozitivele de putere cu semiconductori ocupă o poziție de bază în sistemele electronice de putere, în special în contextul dezvoltării rapide a tehnologiilor precum inteligența artificială, comunicațiile 5G și vehiculele cu energie noi, cerințele de performanță pentru acestea au fost...Citeşte mai mult -
Material de bază cheie pentru creșterea SiC: acoperire cu carbură de tantal
În prezent, a treia generație de semiconductori este dominată de carbura de siliciu. În structura de cost a dispozitivelor sale, substratul reprezintă 47%, iar epitaxia reprezintă 23%. Cele două împreună reprezintă aproximativ 70%, ceea ce este cea mai importantă parte a producției de dispozitive cu carbură de siliciu...Citeşte mai mult -
Cum îmbunătățesc produsele acoperite cu carbură de tantal rezistența la coroziune a materialelor?
Acoperirea cu carbură de tantal este o tehnologie de tratare a suprafețelor utilizată în mod obișnuit, care poate îmbunătăți semnificativ rezistența la coroziune a materialelor. Acoperirea cu carbură de tantal poate fi atașată la suprafața substratului prin diferite metode de preparare, cum ar fi depunerea chimică în vapori, depunerea fizică...Citeşte mai mult -
Ieri, Consiliul de Inovare în Știință și Tehnologie a emis un anunț că Huazhuo Precision Technology și-a încheiat IPO!
Tocmai a anunțat livrarea primului echipament de recoacere cu laser SIC de 8 inchi în China, care este, de asemenea, tehnologia lui Tsinghua; De ce au retras ei înșiși materialele? Doar câteva cuvinte: în primul rând, produsele sunt prea diverse! La prima vedere, nu știu ce fac. În prezent, H...Citeşte mai mult -
Acoperire cu carbură de siliciu CVD-2
Acoperire cu carbură de siliciu CVD 1. De ce există o acoperire cu carbură de siliciu Stratul epitaxial este o peliculă subțire de un singur cristal specific crescută pe baza plachetei prin procesul epitaxial. Placa de substrat și filmul subțire epitaxial sunt denumite în mod colectiv plachete epitaxiale. Printre ei, cei...Citeşte mai mult -
Procesul de preparare a acoperirii SIC
În prezent, metodele de preparare a acoperirii cu SiC includ în principal metoda gel-sol, metoda de încorporare, metoda de acoperire cu pensula, metoda de pulverizare cu plasmă, metoda de reacție chimică a vaporilor (CVR) și metoda de depunere chimică în vapori (CVD). Metoda de încorporareAceastă metodă este un fel de fază solidă la temperatură înaltă...Citeşte mai mult -
Acoperire cu carbură de siliciu CVD-1
Ce este CVD SiC Depunerea chimică în vapori (CVD) este un proces de depunere în vid utilizat pentru a produce materiale solide de înaltă puritate. Acest proces este adesea folosit în domeniul producției de semiconductori pentru a forma pelicule subțiri pe suprafața plachetelor. În procesul de preparare a SiC prin CVD, substratul este expus...Citeşte mai mult -
Analiza structurii de dislocare în cristalul de SiC prin simulare de urmărire a razelor asistată de imagistica topologică cu raze X
Contextul cercetării Importanța aplicării carburii de siliciu (SiC): Ca material semiconductor cu bandă interzisă largă, carbura de siliciu a atras multă atenție datorită proprietăților sale electrice excelente (cum ar fi banda interzisă mai mare, viteza mai mare de saturație a electronilor și conductivitate termică). Aceste prop...Citeşte mai mult -
Procesul de preparare a cristalelor de semințe în creșterea unui singur cristal de SiC 3
Verificarea creșterii Cristalele sămânță de carbură de siliciu (SiC) au fost preparate în urma procesului prezentat și validate prin creșterea cristalului de SiC. Platforma de creștere folosită a fost un cuptor de creștere cu inducție SiC dezvoltat de sine, cu o temperatură de creștere de 2200 ℃, o presiune de creștere de 200 Pa și un...Citeşte mai mult