Industria semiconductoarelor se confruntă cu o creștere fără precedent, în special în domeniulcarbură de siliciu (SiC)electronica de putere. Cu multe pe scară largănapolitanafabrici aflate în construcție sau extindere pentru a răspunde cererii crescânde de dispozitive SiC în vehiculele electrice, acest boom prezintă oportunități remarcabile de creștere a profitului. Cu toate acestea, aduce și provocări unice care necesită soluții inovatoare.
În centrul creșterii producției globale de cipuri SiC se află fabricarea de cristale, plachete și straturi epitaxiale de SiC de înaltă calitate. Aici,grafit de calitate semiconductoarematerialele joacă un rol esențial, facilitând creșterea cristalelor de SiC și depunerea straturilor epitaxiale de SiC. Izolația termică și inerția grafitului îl fac un material preferat, utilizat pe scară largă în creuzete, piedestale, discuri planetare și sateliți în sistemele de creștere a cristalelor și epitaxie. Cu toate acestea, condițiile dure ale procesului reprezintă o provocare semnificativă, ducând la degradarea rapidă a componentelor de grafit și, ulterior, împiedicând producerea de cristale de SiC și straturi epitaxiale de înaltă calitate.
Producția de cristale de carbură de siliciu implică condiții de proces extrem de dure, inclusiv temperaturi care depășesc 2000°C și substanțe gazoase foarte corozive. Acest lucru duce adesea la coroziunea completă a creuzetelor de grafit după mai multe cicluri de proces, crescând astfel costurile de producție. În plus, condițiile dure modifică proprietățile suprafeței componentelor din grafit, compromițând repetabilitatea și stabilitatea procesului de producție.
Pentru a combate aceste provocări în mod eficient, tehnologia acoperirii de protecție a apărut ca o schimbare a jocului. Acoperiri de protecție pe bază decarbură de tantal (TaC)au fost introduse pentru a aborda problemele de degradare a componentelor din grafit și lipsa de aprovizionare cu grafit. Materialele TaC prezintă o temperatură de topire care depășește 3800°C și o rezistență chimică excepțională. Folosirea tehnologiei depunerii chimice de vapori (CVD),Acoperiri TaCcu o grosime de până la 35 de milimetri poate fi depus fără sudură pe componentele din grafit. Acest strat de protecție nu numai că îmbunătățește stabilitatea materialului, ci și extinde semnificativ durata de viață a componentelor din grafit, reducând în consecință costurile de producție și sporind eficiența operațională.
Semicera, un furnizor de top deAcoperiri TaC, a jucat un rol esențial în revoluționarea industriei semiconductoarelor. Cu tehnologia sa de ultimă oră și angajamentul neclintit față de calitate, Semicera a permis producătorilor de semiconductori să depășească provocările critice și să atingă noi culmi de succes. Oferind acoperiri TaC cu performanță și fiabilitate de neegalat, Semicera și-a consolidat poziția de partener de încredere pentru companiile de semiconductori din întreaga lume.
În concluzie, tehnologia de acoperire de protecție, alimentată de inovații precumAcoperiri TaCde la Semicera, remodelează peisajul semiconductorilor și deschide calea către un viitor mai eficient și mai durabil.
Ora postării: 16-mai-2024