Carbură de siliciu legată cu nitrură de siliciu
Material refractar ceramic SiC legat de Si3N4, este amestecat cu pulbere fină SIC de înaltă puritate și pulbere de silicon, după cursul de turnare cu alunecare, reacție sinterizată la 1400~1500°C.În timpul cursului de sinterizare, umplerea cu azot pur înalt în cuptor, apoi siliciul va reacționa cu azotul și va genera Si3N4, deci materialul SiC legat de Si3N4 este compus din nitrură de siliciu (23%) și carbură de siliciu (75%) ca materie primă principală. ,amestecat cu material organic și modelat prin amestec, extrudare sau turnare, apoi realizat după uscare și azotizare.
Caracteristici și avantaje:
1.Htoleranță ridicată la temperatură
2. Conductivitate termică ridicată și rezistență la șocuri
3. Rezistență mecanică ridicată și rezistență la abraziune
4. Eficiență energetică excelentă și rezistență la coroziune
Oferim componente ceramice NSiC de înaltă calitate și prelucrate cu precizie care procesează prin
1.Slip turnare
2.Extrudare
3. Presare uni axială
4.Presare izostatică
Fișa tehnică a materialelor
>Compoziție chimică | Sic | 75% |
Si3N4 | ≥23% | |
Free Si | 0% | |
Densitate în vrac (g/cm3) | 2,70~2,80 | |
Porozitate aparentă (%) | 12~15 | |
Rezistența la îndoire la 20 ℃ (MPa) | 180~190 | |
Rezistența la îndoire la 1200 ℃ (MPa) | 207 | |
Rezistența la îndoire la 1350 ℃ (MPa) | 210 | |
Rezistența la compresiune la 20 ℃ (MPa) | 580 | |
Conductivitate termică la 1200 ℃ (w/mk) | 19.6 | |
Coeficientul de dilatare termică la 1200 ℃ (x 10-6/C) | 4,70 | |
Rezistenta la socuri termice | Excelent | |
Max.temperatura (℃) | 1600 |