Placă de carbură de siliciu legată cu nitrură de siliciu

Scurta descriere:

SiC lipit Si3N4 ca material refractar de tip nou, este utilizat pe scară largă. Temperatura de aplicare este de 1400 C. Are o stabilitate termică mai bună, șoc termic, care este mai bun decât materialul refractar simplu. Are și anti-oxidare, rezistență ridicată la coroziune, rezistență la uzură, rezistență ridicată la încovoiere. Poate rezista la coroziune și curățare, nu poate fi poluată și conduce rapidă a căldurii în metalul topit, cum ar fi AL, Pb, Zn, Cu ect.

Trimiteți-ne un e-mail

Detaliile produsului

Etichete de produs

Carbură de siliciu legată cu nitrură de siliciu

Material refractar ceramic SiC legat de Si3N4, este amestecat cu pulbere fină SIC de înaltă puritate și pulbere de silicon, după cursul de turnare cu alunecare, reacție sinterizată la 1400~1500°C.În timpul cursului de sinterizare, umplerea cu azot pur înalt în cuptor, apoi siliciul va reacționa cu azotul și va genera Si3N4, deci materialul SiC legat de Si3N4 este compus din nitrură de siliciu (23%) și carbură de siliciu (75%) ca materie primă principală. ,amestecat cu material organic și modelat prin amestec, extrudare sau turnare, apoi realizat după uscare și azotizare.

Caracteristici și avantaje:

1.Htoleranță ridicată la temperatură
2. Conductivitate termică ridicată și rezistență la șocuri
3. Rezistență mecanică ridicată și rezistență la abraziune
4. Eficiență energetică excelentă și rezistență la coroziune

Oferim componente ceramice NSiC de înaltă calitate și prelucrate cu precizie care procesează prin

1.Slip turnare
2.Extrudare
3. Presare uni axială
4.Presare izostatică

Fișa tehnică a materialelor

>Compoziție chimică	Sic	75%
	Si3N4	≥23%
	Free Si	0%
Densitate în vrac (g/cm3)		2,70～2,80
Porozitate aparentă (%)		12～15
Rezistența la îndoire la 20 ℃ (MPa)		180～190
Rezistența la îndoire la 1200 ℃ (MPa)		207
Rezistența la îndoire la 1350 ℃ (MPa)		210
Rezistența la compresiune la 20 ℃ (MPa)		580
Conductivitate termică la 1200 ℃ (w/mk)		19.6
Coeficientul de dilatare termică la 1200 ℃ (x 10-6/C)		4,70
Rezistenta la socuri termice		Excelent
Max.temperatura (℃)		1600

Placă de carbură de siliciu legată cu nitrură de siliciu1

Placă de carbură de siliciu legată cu nitrură de siliciu

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. este un furnizor principal de ceramică semiconductoare avansată și singurul producător din China care poate furniza simultan ceramică cu carbură de siliciu de înaltă puritate (în special SiC recristalizat) și acoperire CVD SiC.În plus, compania noastră este, de asemenea, dedicată domeniilor ceramice, cum ar fi alumina, nitrură de aluminiu, zirconiu și nitrură de siliciu etc.

Produsele noastre principale includ: disc de gravare cu carbură de siliciu, cârlig de barcă cu carbură de siliciu, barcă cu napolitană din carbură de siliciu (fotovoltaic și semiconductor), tub de cuptor cu carbură de siliciu, paletă cantilever din carbură de siliciu, mandrine din carbură de siliciu, grinda din carbură de siliciu, precum și acoperirea CVD SiC și TaC strat.Produsele utilizate în principal în industriile semiconductoare și fotovoltaice, cum ar fi echipamente pentru creșterea cristalelor, epitaxie, gravare, ambalare, cuptoare de acoperire și difuzie etc.

Compania noastră dispune de echipamente complete de producție, cum ar fi echipamente de turnare, sinterizare, prelucrare, acoperire etc., care pot completa toate verigile necesare producției de produs și au o controlabilitate mai mare a calității produsului;Planul optim de producție poate fi selectat în funcție de nevoile produsului, rezultând costuri mai mici și oferind clienților produse mai competitive;Putem programa în mod flexibil și eficient producția pe baza cerințelor de livrare a comenzilor și în combinație cu sistemele de gestionare a comenzilor online, oferind clienților un timp de livrare mai rapid și mai garantat.